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[導(dǎo)讀]1 引言 目前分裂諧振環(huán)SRR(Split Ring Resonators)和互補分裂諧振環(huán)CSRR(Complementary Split Ring Resonators)的潛在應(yīng)用價值不斷被挖掘。SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material),LHM具有反向電導(dǎo)介電常

1 引言
    目前分裂諧振環(huán)SRR(Split Ring Resonators)和互補分裂諧振環(huán)CSRR(Complementary Split Ring Resonators)的潛在應(yīng)用價值不斷被挖掘。SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material),LHM具有反向電導(dǎo)介電常數(shù)和滲透系數(shù)。這種反向介電常數(shù)通過互補的SRR(CSRR)來彌補。這樣共振因素導(dǎo)致SRR應(yīng)用的局限性,同時也促進CSRR發(fā)展。
    研究證明,在以CSRR為基礎(chǔ)的傳輸電路中增加溝道來建立平面LHM是可行的。這種平面LHM可用于設(shè)計微帶帶通濾波器。但當(dāng)前大多數(shù)帶通濾波器都是由LH單元或其改進的單元簡單級聯(lián)構(gòu)成的。幾乎所有的帶通濾波器設(shè)計均不能較好地控制其頻率響應(yīng)(帶寬、帶外抑制等)。因此,這里詳細給出基于電容耦合零階諧振器(ZOR)的微帶帶通濾波器的設(shè)計。
    ZOR以平面LHM為基本單元,通過分析直接由Bloch阻抗和相移確定模擬量S和零階共振頻率。該設(shè)計能夠采用導(dǎo)納斜率參數(shù)定量描述ZOR的諧振參數(shù),使用統(tǒng)一負長度微系統(tǒng)嵌入式電容描述J-變頻器,通過連接ZOR和J-變頻器完成BPF設(shè)計和仿真。


2 平面LHM和ZOR的設(shè)計分析
    CSRR和溝道組成的LHM單元典型布局如圖1所示,圖1中,其襯底厚度為1.5 mm,介電常數(shù)為2.65,外環(huán)半徑rout=6mm,內(nèi)環(huán)半徑rin=5.4 mm,圓環(huán)寬度S=0.3 mm,圓環(huán)缺口寬度g=0.3 mm,底板上貼片溝道寬度gap=0.8 mE,LHM單元長度l=22 mm,底板上貼片寬度w=4.2 mm。本文假定rin=rout-2S。

    LHM由單元細胞級聯(lián)組成,圖2為由2個單元細胞級聯(lián)的平面LHM S11圖。由圖2可知,過渡帶衰減較小,選擇性較差。雖然可通過增加單元細胞級聯(lián)數(shù)改善系統(tǒng)選擇性,但難以得到對稱的響應(yīng)曲線、良好的通帶帶寬控制性能以及其他性能指標(biāo)。因此在分析LH通帶附件的單元細胞的性能指標(biāo)的基礎(chǔ)上,設(shè)計平面共振器模型,以改進其性能。導(dǎo)納斜率參數(shù)6可由式(1)計算:

   
式中,f=f0。計算b約0.107 9 S。

 

3 濾波器設(shè)計
    圖3為J-變頻器實現(xiàn)的標(biāo)準微帶帶通濾波器電路。

 

    n階帶通濾波器的技術(shù)指標(biāo)由式(2)確定:
   
式中,b為ZOR的導(dǎo)納斜率參數(shù),ω為帶寬(FBW),Ji,i+1為變頻器的J值,gi為原型低通濾波器參數(shù),G0和G4分別為輸入輸出端口的抗負荷指數(shù)。
    J-變頻器可認為是微帶負長度之間的嵌入式電容,其中電容Ci,i+1以及相移φi,i+1由式(3)計算:
   
    由Ansoft軟件優(yōu)化的帶通濾波器的幾何圖形和尺寸如圖4所示。襯底厚度為1.5 mm,介電常數(shù)為2.65,貼片上兩側(cè)微帶長度l,=7 mm,貼片上兩側(cè)微帶寬度g1=0.2 mm,貼片上中央微帶長度l2=0.75 mm,貼片上中央微帶寬度g2=0.2 mm,微帶外側(cè)距離l=43.5 mm。從而獲得模擬量與測量量之間良好對應(yīng)關(guān)系。

 

    圖5為該微帶帶通濾波器的仿真模型。仿真表明,與由單元細胞簡單級聯(lián)構(gòu)成的帶通系統(tǒng)相比,該帶通濾波器具有更好的選擇性能、對稱的頻率響應(yīng)曲線以及良好的通帶帶寬控制性能。

 

4 結(jié)束語
    采用ZOR設(shè)計帶通濾波器,該ZOR是以CSRR和一系列溝道組成的LHM為基本單元。仿真表明。該微帶帶通濾波器與那些由LHM單元簡單級聯(lián)的帶通濾波器相比,具有更優(yōu)異的性能。

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