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[導(dǎo)讀] 【導(dǎo)讀】:美光財報再次上調(diào),最近兩年存儲芯片的漲價,讓存儲廠商日子過得很是滋潤,有研究團隊從美光的財報中得出一些報告,報告中說2021年,全自動駕駛需要40+傳感器,下面是報告詳細(xì)內(nèi)容。

【導(dǎo)讀】:美光財報再次上調(diào),最近兩年存儲芯片的漲價,讓存儲廠商日子過得很是滋潤,有研究團隊從美光的財報中得出一些報告,報告中說2021年,全自動駕駛需要40+傳感器,下面是報告詳細(xì)內(nèi)容。


        美光再次上調(diào)財報展望,為什么會再次突破產(chǎn)業(yè)展望?存儲芯片大周期還在不斷高漲,超預(yù)期,這是為什么?我們從17年3月開始《半導(dǎo)體隨筆系列》,觀點領(lǐng)先全球!看好全球半導(dǎo)體超級周期,獨家提出硅片剪刀差+第四次硅含量提升產(chǎn)業(yè)邏輯,中國的第二次大投入再次催化產(chǎn)業(yè)發(fā)展,而存儲芯片一直是我們強烈看好的大品種,美光財報也詳細(xì)對各細(xì)分行業(yè)展望、分析,驗證隨筆產(chǎn)業(yè)觀點,敬請關(guān)注隨筆、關(guān)注全球半導(dǎo)體最本質(zhì)分析!

看點:

美光公司稱,存儲行業(yè)目前基本面是有史以來最強勁的!

存儲需求增速強勁,供給增速放緩,存儲廠商投資回報率將進(jìn)一步提升!

相較于2017年,AI、汽車、移動端、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)、SSD對存儲的需求,到2021年,都將成倍提升!

1. 強,且正變得更強 1.1 市場:Data-hungry型應(yīng)用將長期驅(qū)動存儲增長

從市場來看:

PC互聯(lián)網(wǎng)時代每年產(chǎn)生2500億GB數(shù)據(jù),存儲市場規(guī)模達(dá)380億美元移動時代每年產(chǎn)生7萬億GB數(shù)據(jù),存儲市場規(guī)模達(dá)620億美元數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代,2017年產(chǎn)生了22萬億GB數(shù)據(jù),存儲市場規(guī)模達(dá)1280億美元。預(yù)計2021年,每年將產(chǎn)生62萬億GB數(shù)據(jù),存儲市場規(guī)模進(jìn)一步提升

良性循環(huán):由增長的數(shù)據(jù)價值驅(qū)動

創(chuàng)造對捕捉、處理、傳輸及存儲數(shù)據(jù)的持續(xù)的需求產(chǎn)生對存儲的不斷增長的需求

AI帶來格局改變,首先是自然語言處理,下一個前沿是計算機視覺,將帶來更多在存儲方面的需求。

計算機視覺驅(qū)動存儲需求:

智能機存儲核心驅(qū)動:多高像素攝像頭4K+HDR視頻AR/VR/3D 游戲汽車存儲驅(qū)動:高清地圖+4K屏幕語音、手勢控制2021年,全自動駕駛將需要40+ 傳感器2025年,將有2600萬輛三級以上自動駕駛汽車云數(shù)據(jù)中心:2021年,相對2017年,需要2.6倍的資本支出相對于傳統(tǒng)服務(wù)器,AI訓(xùn)練需要6倍的DRAM、2倍SSD

對美光來說,主要的市場驅(qū)動力是:

數(shù)據(jù)中心:潛在機會市場由290億美元增長至620億美元,2.1倍;移動端:潛在機會市場由450億美元增長至540億美元,1.2倍;汽車:潛在機會市場由25億美元增長至59億美元,2.4倍;物聯(lián)網(wǎng):潛在機會市場由90億美元增長至160億美元,1.7倍

從需求看,2017年至2021年,DRAM位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)20%,NAND位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)40-45%。

1.2 產(chǎn)業(yè):結(jié)構(gòu)性變化維持正向產(chǎn)業(yè)動態(tài)

從產(chǎn)業(yè)來看,存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)模占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)比重將提升至35%左右,強需求與穩(wěn)供給的趨勢下,存儲廠商投資回報率將進(jìn)一步提升

從需求看,2017年至2021年,DRAM位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)20%,NAND位元需求復(fù)合年增長率將達(dá)40-45%
       
       從供給看,DRAM新制程需要更高的資本密集度,2018年,DRAM位元供給增速將放緩至20%左右;3D NAND需要更多的潔凈室空間以及更高的資本密集度,2018年,NAND位元供給增速將放緩至40%左右
綜合來看,存儲是數(shù)據(jù)經(jīng)濟的基石,不斷增長的多元化需求、更高的價值、平穩(wěn)的供給,將會為產(chǎn)業(yè)帶來結(jié)構(gòu)性變化,促成健康的產(chǎn)業(yè)趨勢。

1.3 美光:策略、執(zhí)行力、文化帶來顯著價值

美光有40年的傳承,引領(lǐng)科技創(chuàng)新,拓展伙伴關(guān)系,規(guī)?;圃臁?/p>

FY18Q2創(chuàng)紀(jì)錄的財務(wù)表現(xiàn):

收入73.51億美元,同比增長58%;毛利42.96億美元,同比增長140%;凈利34.95億美元,同比增長239%;現(xiàn)金流22.34億美元,同比增長285%

美光投資戰(zhàn)略:

OpEx:技術(shù)在既有的NAND、DRAM路線上延伸推進(jìn)3D XPoint存儲技術(shù)開發(fā)新興存儲技術(shù)OpEx:產(chǎn)品開發(fā)高價值解決方案用于高頻寬和圖形的高性能存儲Managed NAND、SSD、3D XPoint產(chǎn)品CapEx:制造為客戶需求做技術(shù)遷移有競爭力的制造成本彈性供給鏈

美光擁有業(yè)內(nèi)最綜合性的技術(shù)組合:DRAM、3D NAND、NOR、3D XPoint、新興技術(shù)。

美光將于2019年推出3D XPoint產(chǎn)品

比DRAM密度高10倍;比NAND持久1000倍;比NAND快1000倍。

1.4 美光的制勝戰(zhàn)略

美光制勝戰(zhàn)略五大核心:

成本競爭力卓越執(zhí)行力高價值解決方案專注于客戶人才與文化

美光成本降低速度遠(yuǎn)快于業(yè)界

DRAM成本降速是業(yè)界的1.3倍;NAND成本降速是業(yè)界的1.9倍。

美光卓越的執(zhí)行力:

技術(shù)成熟時間破紀(jì)錄1Xnm DRAM技術(shù)成熟速度提升了25%;認(rèn)證用時改善1Xnm DRAM認(rèn)證速度提升了20%;64層NAND認(rèn)證速度提升了30%;TLC占比提升FY18Q2占比80%,同比提升25pct。

高價值的解決方案:高價值產(chǎn)品占比不斷提升。

專注于客戶:依賴可信合作伙伴快速部署

美光卓越的執(zhí)行力帶來營業(yè)利潤結(jié)構(gòu)性增長:預(yù)計18年相較16年提升60億美元,21年相較18年提升30億美元。也即是說在2021年,相較于FY2016,將有90億美元的營業(yè)利潤增長。

美光的人才與文化:

人才:30%的新員工,超過1200人,有高學(xué)歷;平等:99%的性別薪酬平等,目標(biāo)100%;團隊:創(chuàng)新的文化、韌性、緊迫感與責(zé)任

我們專注的領(lǐng)域:

對策略的執(zhí)行力基于ROI的投資盈利能力的增長,為股東帶來更高的價值。

2. 追求卓越 2.1 廣泛的需求

AI服務(wù)器

相較于2017年,標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器平均145GB DRAM,預(yù)計2021年AI用服務(wù)器每臺將配置2.5TB DRAM。相較于2017年,標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器平均2TB NAND,預(yù)計2021年AI用服務(wù)器每臺將配置20TB NAND。

自動駕駛汽車:

DRAM方面,目前L1/2需要8GB;2021年,L3需要16GB;2025年,L5需要74GB。NAND方面,目前L1/2需要8GB;2021年,L3需要256GB;2025年,L5需要1TB。

移動端:5G、AI NPU、高清、AR等全方位提升存儲需求

DRAM方面,目前平均2.7GB,預(yù)計2021年,旗艦機型將配置12GB。NAND方面,目前平均43GB,預(yù)計2021年,旗艦機型將配置1TB。

物聯(lián)網(wǎng):智能安防帶來邊緣存儲需求提升16倍

DRAM方面,網(wǎng)絡(luò)攝像機將由17年的0.5GB,提升至21年的8GB邊緣存儲。NAND方面,網(wǎng)絡(luò)攝像機將由17年的0.25GB,提升至21年的1TB邊緣存儲。

客戶端PC:價值驅(qū)動滲透率、容量

SSD滲透率將由17年的36%,提升至21年的81%,2.3倍;單機平均容量將由17年的264GB,提升至21年的597GB,2.3倍。

美光所有事業(yè)群都從這五大領(lǐng)域的增長中受益:

CNBU受益于數(shù)據(jù)中心以及PCMBU受益于智能機SBU受益于數(shù)據(jù)中心以及PCEBU受益于汽車以及物聯(lián)網(wǎng)

2.2 價值驅(qū)動

加速高價值解決方案上市時間:

Managed NAND產(chǎn)品從組件到解決方案,速度提升了54%;SSD產(chǎn)品從組件到解決方案,速度提升了70%。

NAND解決方案占比不斷提升:

獨立部件銷售占比不斷下滑SSD、Managed NAND占比不斷上升QLC創(chuàng)新

美光是DRAM領(lǐng)導(dǎo)者之一:

高性能市場領(lǐng)先的GDDR性能GDDR產(chǎn)品進(jìn)入汽車、互聯(lián)網(wǎng)、AI領(lǐng)域高頻寬HBM產(chǎn)品開發(fā)中長周期(耐用)市場汽車市場份額第一互聯(lián)網(wǎng)市場份額第一移動市場LPDDR4X:業(yè)內(nèi)最低功耗全球第一家12Gb die云市場FY18Q2,相較于FY16Q2,8倍的云端DRAM收入領(lǐng)導(dǎo)NV-DIMM-N的遷移未來3D XPoint與新興技術(shù)

美光是全球唯一一家同時擁有NAND、DRAM、3D XPoint技術(shù)的公司:

6大NAND廠商之一;3大DRAM廠商之一;2大3D XPoint廠商之一;

3. 科技領(lǐng)導(dǎo)者 3.1 傳承

美光歷史上多次業(yè)內(nèi)最先:

2007年,Pattern MulTIplicaTIon 技術(shù)使制程下降至40nm以下;2015年,CUA技術(shù),將3D NAND 帶上新的臺階2017年,Array Stacking技術(shù),為3D NAND發(fā)展鋪平道路

3.2 DRAM

美光DRAM制程推進(jìn)至1Xnm,且認(rèn)證周期減少20%。

美光DRAM產(chǎn)品優(yōu)勢:

比競爭對手高的可靠性,兩大競爭對手每百萬缺陷率分別是美光的1.4倍和2.9倍;比競爭對手更低的功耗,兩大競爭對手功耗分別是美光的1.2倍與1.25倍;最快的帶寬。

美光DRAM技術(shù)發(fā)展:

1Ynm:按計劃進(jìn)行中預(yù)計18年下半年投產(chǎn)對未來1Znm以及后續(xù)制程有信心EUV不是必須的光刻技術(shù)優(yōu)化容量及成本EUV在1β之后,將有優(yōu)勢持續(xù)推進(jìn)Stacking技術(shù)DDR4/5高性能產(chǎn)品:企業(yè)云、網(wǎng)絡(luò)、汽車應(yīng)用HBM高頻寬產(chǎn)品仍在研發(fā)中心:AI、機器學(xué)習(xí)、網(wǎng)絡(luò)及圖形應(yīng)用

3.3 NAND

美光NAND產(chǎn)品,2017年推進(jìn)至64層,且認(rèn)證周期,縮短30%。

美光NAND產(chǎn)品業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,得益于TLC技術(shù),按GB/wafer來計算,領(lǐng)先15%。

美光3D NAND技術(shù)發(fā)展:

96L 3D NAND:層數(shù)增加50%結(jié)合使用Array stacking和CUA技術(shù)全球最小的512Gb die第4代 3D NAND寫入帶寬提升30%單位Bit功耗降低40%QLC技術(shù)全球最先64L QLC SSD解決方案全球最先1Tb die密度比TLC增加33%

3.4 3D XPoint

美光3D XPoint內(nèi)存:全球第一個商業(yè)化存儲級內(nèi)存

第二代投產(chǎn)綜合高性能、高密度、非易失CUA技術(shù)技術(shù)突破將會帶來更加廣闊的市場

4. 卓越運營 4.1 規(guī)模

美光全球布局:

日本技術(shù)研發(fā)晶圓制造試生產(chǎn)線臺灣地區(qū)晶圓制造封裝測試封裝技術(shù)研發(fā)中國大陸封裝測試模組制造新加坡&馬來西亞技術(shù)研發(fā)晶圓制造試生產(chǎn)線封裝測試SSD制造

先進(jìn)制程對潔凈室空間需求更大,美光全球布局?jǐn)U張計劃:

日本潔凈室擴張10%空間臺灣地區(qū)封裝測試新加坡第一期擴張潔凈室35%

Fab以外,資本密集度也越來越高,封測、研發(fā)、IT等CapEx投入為原先的1.3倍。

美光供給預(yù)測:

DRAM:與業(yè)界持平,20%的增長;驅(qū)動力為1X技術(shù)NAND:略高于業(yè)界40-45%的增長。驅(qū)動力為64層 3D NAND

4.2 成本

美光技術(shù)研發(fā)快于業(yè)界

DRAM:兩年Bit/Wafer增長率是業(yè)界的1.3倍;NAND:兩年Bit/Wafer增長率是業(yè)界的1.5倍.

美光技術(shù)成熟量產(chǎn)速度提高一倍。

美光成本降速高于業(yè)界

DRAM:兩年COGS/Bit降速是業(yè)界的1.3倍;NAND:兩年COGS/Bit降速是業(yè)界的1.9倍。受益于從MLC 2D NAND遷移至TLC 3D NAND

4.3 質(zhì)量

在猶他州、弗吉尼亞州投入裝用設(shè)備生產(chǎn)專業(yè)產(chǎn)品

猶他州:3D XPoint弗吉尼亞州:長壽命產(chǎn)品,NAND、NOR、DRAM

高價值解決方案需要高質(zhì)量產(chǎn)品:

客戶質(zhì)量評價第一在汽車用存儲中份額第一在網(wǎng)絡(luò)用存儲中份額第一

4.4 速度

美光采取網(wǎng)絡(luò)式組裝測試流水線,大規(guī)模、垂直整合,增加靈活性,提升成本競爭力。

5. 盈利驅(qū)動,創(chuàng)造價值 5.1 收入結(jié)構(gòu)多元化

DRAM:收入的下游分布更加平衡,多樣化原來超過三分之一的業(yè)務(wù)是PC,現(xiàn)在PC、服務(wù)器、移動端、專用DRAM,四大下游市場平衡NAND:收入多樣化,高價值產(chǎn)品份額提升原來超過一半的業(yè)務(wù)收入來自組件銷售,現(xiàn)在單獨銷售的組件份額在降低。

5.2 財務(wù)改善

2017年收入增長64%,達(dá)到203以美元,預(yù)計FQ3營收中值為77.5億美元,預(yù)計前三季度累計營收將超過去年全年營收203億美元。EBITDA去年達(dá)到96億美元,增長超過200%,預(yù)計EBITDA比率會持續(xù)提升自由現(xiàn)金流扭負(fù)為正,預(yù)計自由現(xiàn)金流占比將持續(xù)提升預(yù)計21年相較16年,營業(yè)利潤將提升90億美元研發(fā)投入是在增加的,研發(fā)費用率下滑是因為收入增長,預(yù)計管理費用率將進(jìn)一步下降預(yù)計毛利率將進(jìn)一步提升,17年為43%。預(yù)計資本回報率將進(jìn)一步提升,17年為22%,16年為1%。

5.3 上調(diào)Q3指引

上調(diào)Q3預(yù)計收入至77-78億美元,原指引為72-76億美元;上調(diào)EPS至3.12-3.16美元,原指引為2.76-2.90美元。

5.4 宣布100億美元的股票回購計劃

FY19起,至少50%的自由現(xiàn)金流用于回購

6. 總結(jié)

市場強勁需求結(jié)合產(chǎn)業(yè)正向動態(tài):

數(shù)據(jù)經(jīng)濟驅(qū)動存儲產(chǎn)業(yè)增長產(chǎn)業(yè)供給側(cè)增速放緩有史以來最強的行業(yè)基本面

為股東創(chuàng)造更高的價值:

基于ROI投資強執(zhí)行力驅(qū)動營業(yè)利潤改善FY19起,100億美元回購計劃,至少50%的現(xiàn)金流用于回購

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