在物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大背景下，網(wǎng)絡(luò)規(guī)模在不斷擴大，意味著芯片的需求量也在逐漸增加，物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展離不開系統(tǒng)芯片，那么大規(guī)模的建設(shè)，超低價芯片才是首選。而ARM表示會在2027年超低價芯片就會解決。

　　為了滿足物聯(lián)網(wǎng)大量的節(jié)點需求，靜態(tài)隨機存取內(nèi)存和閃存、藍牙接口和傳感器會消耗太多功率，到2027年可能會有幾種替代方案出現(xiàn)。2027年前物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)單芯片需要在功率和成本上創(chuàng)下新的低點，還有很多技術(shù)尚待突破。

　　未來物聯(lián)網(wǎng)時代可能需要仰賴超低價芯片，用來連接與傳感器與擴展物聯(lián)網(wǎng)規(guī)模。據(jù)EETImes在ARM TechCon論壇采訪報導，當前的靜態(tài)隨機存取內(nèi)存（SRAM）和閃存（NAND Flash）、藍牙接口和傳感器為因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)大量的節(jié)點需求，會消耗太多功率，到2027年可能會有幾種替代方案出現(xiàn)。

　　ARM無線軟件總監(jiān)Jason Hillyard表示，2027年終端節(jié)點系統(tǒng)單芯片將僅消耗10微瓦/MHz，在無線電圖上發(fā)送和傳輸數(shù)據(jù)只要1~2毫瓦。Hillyard并展示軟件系統(tǒng)單芯片（slideware SoC），使用一個由亞閾值（subthreshold）電路打造，適合能源收集方式的新架構(gòu)。

　　ARM資深首席研究工程師Lucian Shifren表示，這種設(shè)備最大的缺點是缺乏適當?shù)膬?nèi)存。內(nèi)存能源是未來的主要問題，每個人都押寶ReRAM和STT來取代SRAM和Flash，但STT太昂貴，且使用太多的寫入能源，而ReRAM和相變替代品使用相對較高的電壓，因此都不可行。

　　ARM首席技術(shù)專家Mike EE Muller表示，ARM已經(jīng)針對基于學術(shù)研究的內(nèi)存進行芯片測試，不過他拒絕透露進度，只表示ARM的目標是打造一種非揮發(fā)物、低功耗的設(shè)計，對邏輯芯片和內(nèi)存都有幫助，屆時內(nèi)存范圍會擴大，但不會取代Flash。

　　超低功耗方案廠商Ambig Micro技術(shù)官表示，基于亞閾值電路的微控制器中的內(nèi)存已經(jīng)開始碰到瓶頸?？傊?，2027年前物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)單芯片需要在功率和成本上創(chuàng)下新的低點，還有很多技術(shù)有待突破。