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[導(dǎo)讀]   摘 要:通過(guò)使用IDT70261 雙端口RAM 實(shí)現(xiàn)了ARM 與TMS320C6211 DSP 之間的高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)通信,給出了雙端口RAM 與TMS320C6211 和ARM 的硬件連接圖和

  摘 要:通過(guò)使用IDT70261 雙端口RAM 實(shí)現(xiàn)了ARM 與TMS320C6211 DSP 之間的高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)通信,給出了雙端口RAM 與TMS320C6211 和ARM 的硬件連接圖和ARM 驅(qū)動(dòng)編寫(xiě)細(xì)節(jié)。

  后PC 時(shí)代,由于網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展,利用嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理與傳輸成為可能。在ARM 和DSP 構(gòu)成的雙處理器系統(tǒng)中,嵌入式作為主設(shè)備,主要完成數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)與網(wǎng)絡(luò)傳輸工作,而DSP 作為從設(shè)備需要負(fù)責(zé)復(fù)雜的算法實(shí)現(xiàn)。

  在此高速數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)中,隨著采樣數(shù)據(jù)量的增大和處理任務(wù)的增加,對(duì)數(shù)據(jù)的傳送要求越來(lái)越高,如果在兩個(gè)系統(tǒng)端口之間沒(méi)有能夠高速傳送數(shù)據(jù)的接口,將會(huì)造成數(shù)據(jù)傳送的阻塞,嚴(yán)重影響系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與處理數(shù)據(jù)的能力,因此此系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一是主從設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通信。本文介紹用雙端口RAMIDT70261 完成TMS320C6211DSP 與嵌入式ARM920T之間的數(shù)據(jù)通信。

  1 IDT70261雙端口RAM功能簡(jiǎn)介

  IDT70261 是美國(guó)IDT 公司生產(chǎn)的高速16K&TImes;16 的雙端口SRAM,其典型功耗為750mW,它具有兩個(gè)等級(jí)的存取時(shí)間:商業(yè)級(jí)有 15/20/25/35/55 ns (max),工業(yè)級(jí)有20/25/35/55ns (max)。雙端口RAM 有兩個(gè)完全獨(dú)立的端口,它們各自有一套相應(yīng)的數(shù)據(jù)總線、地址總線和控制總線,允許兩個(gè)控制器單獨(dú)或異步的讀寫(xiě)其中任意一個(gè)存儲(chǔ)單元。兩個(gè)端口具有同樣的對(duì)雙端口RAM 的讀寫(xiě)操作能力,但是當(dāng)兩個(gè)端口同時(shí)對(duì)同一地址進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí),會(huì)因?yàn)閿?shù)據(jù)的沖突而造成存儲(chǔ)或讀取的錯(cuò)誤。對(duì)同一存儲(chǔ)單元的操作存在以下四種情況:

 ?。?) 兩個(gè)端口不同時(shí)對(duì)同一地址單元進(jìn)行讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。

 ?。?) 兩個(gè)端口同時(shí)對(duì)同一地址單元進(jìn)行讀出數(shù)據(jù)。

 ?。?) 兩個(gè)端口同時(shí)對(duì)同一地址單元進(jìn)行寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

 ?。?) 兩個(gè)端口同時(shí)對(duì)一個(gè)地址單元,一個(gè)寫(xiě)入數(shù)據(jù),另一個(gè)讀出數(shù)據(jù)。

  前兩種情況不會(huì)造成對(duì)雙端口RAM的讀寫(xiě)錯(cuò)誤,第三種情況會(huì)造成寫(xiě)入數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤,第四種情況會(huì)造成讀出錯(cuò)誤。為了避免對(duì)雙端口RAM 造成讀寫(xiě)錯(cuò)誤,IDT70261 有以下幾種仲裁控制方法。

  1.1 遇忙邏輯控制

  當(dāng)雙端口同時(shí)對(duì)同一地址單元進(jìn)行控制時(shí),IDT70261 提供一種/BUSY 控制機(jī)制。雙端口不對(duì)同一地址單元進(jìn)行控制時(shí),兩個(gè)端口的/BUSY 引腳都為高,左右兩個(gè)端口均可正常訪問(wèn)存儲(chǔ)空間。當(dāng)兩個(gè)端口對(duì)同一地址單元進(jìn)行存取時(shí),一個(gè)端口的/BUSY 引腳為高(允許對(duì)存儲(chǔ)空間的讀寫(xiě)操作),另一個(gè)端口的引腳為低(禁止對(duì)存儲(chǔ)空間的讀寫(xiě)操作),哪一個(gè)請(qǐng)求信號(hào)在前,其端口引腳為高,另一個(gè)為低。兩個(gè)端口請(qǐng)求讀寫(xiě)的時(shí)間差最小為5ns,當(dāng)時(shí)間小于5ns 時(shí),系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)允許一個(gè)引腳讀寫(xiě),屏蔽另外一個(gè)引腳,防止出現(xiàn)對(duì)同一地址單元的讀寫(xiě)錯(cuò)誤。

  1.2 中斷控制機(jī)制

  IDT70261 具有中斷輸出功能,中斷工作時(shí),雙端口RAM 的兩個(gè)最高地址單元3FFE、3FFF 作為“郵箱”來(lái)傳遞相應(yīng)的命令。當(dāng)中斷功能不使用時(shí),3FFE、3FFF兩個(gè)單元作為正常的存儲(chǔ)單元使用。下面介紹中斷工作原理。

  左端口寫(xiě)地址單元3FFF,/INTR 變?yōu)橛行Вǖ碗娖剑蛴叶丝诎l(fā)送中斷請(qǐng)求,右端口響應(yīng)中斷請(qǐng)求后,可向3FFF 地址單元執(zhí)行一次讀操作,清除中斷標(biāo)志(/INTR 變?yōu)楦唠娖剑?。同理,右端口?xiě)地址單元3FFE,/INTL 變?yōu)橛行Вǖ碗娖剑蜃蠖丝诎l(fā)送中斷請(qǐng)求,左端口響應(yīng)中斷請(qǐng)求后,可向3FFE 地址單元執(zhí)行一次讀操作,清除中斷標(biāo)志(/INTL 變?yōu)楦唠娖剑?/p>

  1.3 令牌傳遞原理

  IDT70261 內(nèi)部有8 個(gè)獨(dú)立于雙端口RAM 的邏輯鎖存單元,用來(lái)標(biāo)明共享的雙端口RAM 是否正在使用。在此工作模式下,/SEM 用作鎖存器的“片選”信號(hào),地址線A2~A0 用來(lái)尋址8 個(gè)標(biāo)志鎖存器,數(shù)據(jù)線D0用來(lái)標(biāo)志鎖存器的狀態(tài)。

  端口向鎖存器寫(xiě)入0 表示申請(qǐng)控制權(quán),寫(xiě)入1 表示放棄使用權(quán)。當(dāng)左端口要使用雙端口RAM 時(shí),先寫(xiě)入0 到標(biāo)志鎖存器,然后讀出標(biāo)志鎖存器的狀態(tài),若讀出的值為0,則左端口獲得該存儲(chǔ)單元的使用權(quán);若讀出的值為1,表明右端口正在使用該存儲(chǔ)單元。

  此時(shí),左端口要么循環(huán)檢測(cè)鎖存器狀態(tài),直到右端口使用結(jié)束,要么向鎖存器寫(xiě)入1,撤銷(xiāo)請(qǐng)求。同理,若右端口使用雙端口RAM 時(shí),仍按照上述步驟進(jìn)行操作[1,2]。

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