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[導(dǎo)讀]通常我們對(duì)于一種特定器件,可以使用上述靜態(tài)的方式,結(jié)合紅外熱成像測(cè)溫儀,校核它們之間的差值,然后在實(shí)際的測(cè)量中,使用這個(gè)差值來(lái)得到結(jié)溫。

通常我們對(duì)于一種特定器件,可以使用上述靜態(tài)的方式,結(jié)合紅外熱成像測(cè)溫儀,校核它們之間的差值,然后在實(shí)際的測(cè)量中,使用這個(gè)差值來(lái)得到結(jié)溫。

測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過(guò)程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:

1、熱電偶

2、紅外熱成像測(cè)溫儀

為了提高熱電偶的測(cè)量精度,需要對(duì)其做精確的溫度補(bǔ)償;熱電偶本身要用特定的粘膠固定在測(cè)量器件的表面,固定的方式和接觸面積都會(huì)影響測(cè)量的精度;相對(duì)于測(cè)量的功率器件,如果熱電偶接觸面積大,本身相當(dāng)于散熱器的作用,會(huì)嚴(yán)重的影響測(cè)量精度。

紅外熱成像儀不需要和器件接觸,因此測(cè)量過(guò)程對(duì)測(cè)量的精度幾乎沒(méi)有影響,因此近年來(lái)獲得大量的使用。紅外熱成像測(cè)溫儀得到溫度如圖 3 所示,溫度最高的點(diǎn)為功率器件,那么這個(gè)溫度是功率器件的結(jié)溫,還是功率器件塑料外殼頂部的溫度?

圖 3:紅外熱成像測(cè)溫儀測(cè)量溫度

毫無(wú)疑問(wèn),測(cè)量的這個(gè)溫度是功率器件塑料外殼頂部,那么這個(gè)溫度和功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫一樣嗎?當(dāng)然不一樣,功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫高于塑料外殼頂部的溫度。結(jié)溫和殼頂溫度差多少?

數(shù)據(jù)表中,RthJC 是結(jié)到殼(底部銅皮)的熱阻,不是結(jié)到殼頂?shù)臒嶙?,如下表所示。RthJT+RthTA 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 RthJC+ RthCA,只有很少的一部分熱量從殼頂導(dǎo)出,因此結(jié)溫和殼頂溫度差異很小。

DFN5*6

TO220F

沒(méi)有簡(jiǎn)單的方法來(lái)估算這個(gè)差值,仿真的差值如下圖所示。不同的封閉類型、不同的外殼材料等因素都會(huì)影響到這個(gè)差值,經(jīng)驗(yàn)值通常取 5-10℃左右。

經(jīng)常有工程師問(wèn)到這樣的問(wèn)題,如何才能準(zhǔn)確的測(cè)量到功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫?

靜態(tài)的條件下,可以測(cè)量功率器件內(nèi)部寄生的二極管的壓降,通過(guò)校核的結(jié)溫曲線,查到相應(yīng)的內(nèi)部硅片的結(jié)溫。在實(shí)際電路工作的條件下,不太可能測(cè)量?jī)?nèi)部寄生的二極管的壓降,因此實(shí)時(shí)的測(cè)量?jī)?nèi)部硅片的結(jié)溫也不太現(xiàn)實(shí)。

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