隨著社會的發(fā)展，電子產(chǎn)品也在不斷更新，那就需要更好的電子元器件技術，其中越來越流行的就包括氮化鎵技術，那么你知道什么是氮化鎵嗎?

氮化鎵到底是什么，又有什么優(yōu)勢，可以將大功率的充電器，體積縮小到如此之低呢?

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高(和降低)。

氮化鎵被譽為最新一代的半導體材料，發(fā)展和應用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導率高2倍。這些性能提升帶來的一些優(yōu)勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。

其中藍寶石氮化鎵只能用來做LED;而硅基氮化鎵可以做功率器件和小功率的射頻;碳化硅氮化鎵可以制造大功率LED、功率器件和大功率射頻芯片。這次小米發(fā)售的快充頭，就是硅基氮化鎵做的功率器件的一個典型應用場景。

通過導通電阻選擇器件

內(nèi)部氮化鎵場效應晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛湓诠β兽D(zhuǎn)換器的開關和傳導損耗中起著重要作用。這些損失會影響系統(tǒng)級效率及散熱和冷卻方法。因此，通常來講，RDS(on)額定值越低，可實現(xiàn)的功率水平越高，同時仍保持高效率。但是更高的RDS(on)可能更合適一些應用或拓撲。

一個更加直觀的例子是，假如所有電器都換成氮化鎵材質(zhì)，整體用電量將會減少20%。

以上就是支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術的詳細解析，希望通過閱讀本文，能讓大家對支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術有了初步的認識，方便大家進一步的學習。