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[導(dǎo)讀] 中國,2021年5月19日 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體宣布,電氣與電子工程師協(xié)會(IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎,表彰公司在超級集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。

中國,2021年5月19日 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體宣布,電氣與電子工程師協(xié)會(IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎,表彰公司在超級集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。意法半導(dǎo)體的BCD技術(shù)可以單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS工藝高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,適合復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用。多年來,BCD工藝技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用取得了顛覆性發(fā)展。

在意法半導(dǎo)體Agrate工廠舉行的現(xiàn)場 / 線上揭牌儀式上,IEEE意大利分部人道主義活動委員會協(xié)調(diào)員兼前任秘書Giambattista Gruosso和意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。該牌匾將放置在意法半導(dǎo)體在意大利米蘭市近郊的兩個曾經(jīng)承擔(dān)多硅柵多功率BCD開發(fā)工作的意大利布里安札的Agrate工廠和意大利米蘭Castelletto工廠的大門口。牌匾上寫著:

IEEE里程碑

單片多硅技術(shù),1985年

SGS(現(xiàn)為意法半導(dǎo)體)率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管(BCD)的超級集成硅柵極工藝,解決復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用設(shè)計難題。首個BCD超級集成電路L6202可以控制最高60V-5A的功率,開關(guān)頻率300kHz。隨后的汽車、計算機和工業(yè)自動化廣泛采用了這項工藝技術(shù),讓芯片設(shè)計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。

IEEE于1983年建立了里程碑計劃,以表彰在獨特產(chǎn)品、服務(wù)、有影響力的論文和專利中造福人類的技術(shù)創(chuàng)新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是25年前在IEEE代表的技術(shù)領(lǐng)域產(chǎn)生的至少具有地區(qū)影響力的重要技術(shù)成就。目前,IEEE在全球范圍內(nèi)批準并頒發(fā)了大約220塊IEEE里程碑牌匾。

意法半導(dǎo)體“單片多硅技術(shù)”歷史成就榮獲著名的IEEE里程碑獎

在上個世紀八十年代初期,意法半導(dǎo)體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應(yīng)用問題,并第首先在一顆單芯片上集成異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管。工程師著眼于多個細分市場的客戶需求,著力于在數(shù)字邏輯的控制下提供數(shù)百瓦的電力,而且控制邏輯技術(shù)遵循摩爾定律。目標器件還將支持精確的模擬功能,并最大程度地降低功耗,無需使用散熱器。

這些研發(fā)活動最終產(chǎn)生了一種新的集成硅柵技術(shù)。這種被稱為BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術(shù)利用復(fù)雜的互連方法在單個芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復(fù)雜CMOS邏輯和多個DMOS功率晶體管。BCD首個芯片是L6202電動機全橋驅(qū)動器,工作電壓60V,電流1.5A,開關(guān)頻率300kHz,達到所有設(shè)計目標。這個新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。

從推出BCD工藝至今,意法半導(dǎo)體已經(jīng)售出400多億顆硅柵多功率BCD器件/芯片,第十代BCD技術(shù)即將開始投產(chǎn)。在歐洲和亞洲,意法半導(dǎo)體前后工序制造工廠的這項BCD技術(shù)廣泛用于汽車子系統(tǒng)、智能手機、家用電器、音頻放大器、硬盤、電源、打印機、微型投影儀、照明、醫(yī)療設(shè)備、電動機、調(diào)制解調(diào)器、顯示器等。

意法半導(dǎo)體總裁、首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“在80年代初, 智能電源還是一個獨樹一幟的概念,我們的一個有遠見和眼光的天才技術(shù)團隊認識到智能電源的價值,創(chuàng)造了一項非凡成就,將雙極晶體管的高精度功能與CMOS數(shù)字控制和DMOS的高功率整合成一顆芯片。到現(xiàn)在,已經(jīng)過去35年并經(jīng)歷了9次技術(shù)迭代,我們產(chǎn)出500萬片晶圓,售出400億顆芯片 – 僅去年一年就售出近30億顆芯片。能夠得到這一IEEE里程碑匾額意味著ST的BCD技術(shù)將被寫進推進人類發(fā)展的科技史冊,對此,我們的自豪無以言表。”

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