在半導(dǎo)體制造方面，國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。

5月31日晚間，南大光電發(fā)布公告稱(chēng)，控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺(tái)上通過(guò)認(rèn)證后，近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上取得了認(rèn)證突破，表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺(tái)后段金屬布線(xiàn)層的工藝要求。

不過(guò)，南大光電并未透露具體的客戶(hù)名字。

（圖片源自南大光電官網(wǎng)）

在光刻機(jī)市場(chǎng)上，國(guó)內(nèi)自給率極低，歐美日等地區(qū)的廠商占據(jù)主要份額，JSR、信越化學(xué)等TOP5廠商占據(jù)全球87%的份額。

要知道，光刻膠有不同的技術(shù)類(lèi)別，低端的中g(shù)線(xiàn)/i線(xiàn)光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴(lài)進(jìn)口，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的卡脖子技術(shù)之一。

雖然南大光電的ArF光刻膠現(xiàn)在通過(guò)的是55nm工藝認(rèn)證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造工藝，廣泛應(yīng)用于高端芯片制造（如邏輯芯片、 存儲(chǔ)芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計(jì)算芯片等）。