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[導(dǎo)讀]芯片技術(shù)包括:芯片設(shè)計、芯片制造、芯片封裝測試、光刻機等相關(guān)設(shè)備。在芯片設(shè)計領(lǐng)域,華為海思代表著國內(nèi)最高技術(shù),其設(shè)計的麒麟芯片已經(jīng)進入世界前三,能夠和高通驍龍、蘋果A系列芯片相媲美,但其實也只是剛剛開始“去美國化”。

芯片技術(shù)包括:芯片設(shè)計、芯片制造、芯片封裝測試、光刻機等相關(guān)設(shè)備。在芯片設(shè)計領(lǐng)域,華為海思代表著國內(nèi)最高技術(shù),其設(shè)計的麒麟芯片已經(jīng)進入世界前三,能夠和高通驍龍、蘋果A系列芯片相媲美,但其實也只是剛剛開始“去美國化”。

但是芯片設(shè)計所需的EDA軟件,被歐美壟斷,國內(nèi)企業(yè)僅有5%的市場份額,差距非常大。世界上最出名的三大EDA軟件公司,分別是美國的Synopsys、美國的Cadence 、西門子旗下的 Mentor Graphics 。國內(nèi)的EDA工具不全,很多只涉及到 IC 設(shè)計、布線、驗證、仿真中的一部分環(huán)節(jié)。

而對于芯片制造,全球最大,技術(shù)實力最強的芯片制造廠商,就是臺積電,臺積電現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)5nm工藝制式的量產(chǎn),而大陸最好的芯片制造公司中芯國際,剛剛完成14nm的量產(chǎn)。從14nm到5nm需要大量的技術(shù)積累,需要突破專利的封鎖,這個過程是無法逾越的,必須一步一步地來。

對于光刻機,國內(nèi)光刻機企業(yè)典型代表是上海微電子,目前最高端工藝制程為90nm,在國內(nèi)市場份額超過80%,并且也銷往國外。上海微電子制造的光刻機和荷蘭ASML的EUV光刻機相比,卻處于低端序列,根本無法制造手機芯片,這也是華為麒麟芯片被“卡脖子”的一大原因。目前我國的光刻機水平處于市場最底端,和日本都有差距,和荷蘭ASML差距則更大。芯片制造技術(shù)落后幾年,光刻機相差5代,這就是我國芯片制造領(lǐng)域的處境。

眾所周知,在中國強勁的崛起勢頭面前,美國使出了渾身解數(shù)。在看到一系列的打壓遏制無效后,美國又開始出最狠的招,接連朝著中國的軟肋上揮去。我們知道盡管中國目前取得的成就是十分喜人的,但是我們也必須承認的一點是,在某些方面,中國同世界先進水平仍有一段距離。

其中說起中國的短板,芯片領(lǐng)域就是其中之一。在建國初期,中國各方面都積貧積弱,生產(chǎn)力更是低下,這也是導(dǎo)致中國在芯片等高科技領(lǐng)域落后西方國家的原因。而在中國發(fā)展起來之后,芯片發(fā)展仍然是舉步維艱,一個重要的原因就是美國的戰(zhàn)略封鎖制裁。

臺積電作為全球技術(shù)最先進的代工廠商,幾乎拿下了全球芯片市場一半以上的訂單,蘋果、華為以及聯(lián)發(fā)科等,都是臺積電的客戶。

即便是能夠自主研發(fā)制造芯片的英特爾,現(xiàn)在也成為了臺積電的客戶。

在臺積電眾多客戶中,蘋果和華為最為重要,因為這兩者是臺積電營收的最大貢獻者,還總是承擔(dān)臺積電新流片費用,所以華為和蘋果往往能早發(fā)布上市最新的處理器。

但沒有想到的是,美國為了限制華為在5G等領(lǐng)域內(nèi)發(fā)展,不斷升級對華為的限制政策。

從禁止高通、谷歌等美國企業(yè)向華為出貨,到限制使用美國技術(shù)的芯片企業(yè)向華為出貨,雖然臺積電技術(shù)很強大,但也無可奈何。

華為麒麟9000成了臺積電最后的倔強

今年5月份,美國突然修改規(guī)則,稱將嚴格限制華為使用美國技術(shù)研發(fā)、設(shè)計、制造半導(dǎo)體芯片,這意味著臺積電想繼續(xù)代工華為芯片也難了。

因為臺積電使用了美國技術(shù),尤其是先進的EUV光刻機,其包含大量的美國技術(shù),沒有這項設(shè)備,臺積電也無法保持技術(shù)先進。

中國工程院院士、微電子工藝技術(shù)專家吳漢明表示,現(xiàn)在已進入后摩爾時代,其最大特征是每年芯片性能的提升呈現(xiàn)出發(fā)展趨緩的態(tài)勢?!霸?002年前,每年芯片性能的提升為52%,到后面幾年變?yōu)?3%,再到2018年的3.5%,由此可見發(fā)展放緩是一種趨勢。在該條件下,對于始終在‘追趕’的中國集成電路而言,無疑是一個機會?!?

值此機遇,吳漢明認為有必要將后摩爾時代的特點進行梳理,其中包括技術(shù)方向尚不明確、業(yè)務(wù)產(chǎn)業(yè)化、市場碎片化、研發(fā)經(jīng)費較低等?!霸谡w發(fā)展中,我覺得對于我們國家而言,最大的挑戰(zhàn)還是芯片制造工藝,交叉學(xué)科特點也在制造范疇里體現(xiàn)得最為明顯?!?

“5月6日,IBM宣布了特征線寬為兩個納米的芯片,可見集成電路技術(shù)在不斷發(fā)展,這也使得集成電路的競爭成為一個非常重要的領(lǐng)域?!痹谥袊茖W(xué)院院士、半導(dǎo)體材料學(xué)家楊德仁看來,國際集成電路中長期發(fā)展將有多種挑戰(zhàn),包括特征尺寸的物理限制;電互連信號延遲,寬帶受限;功耗密度的不斷上升。

“把硅集成電路和光電子集成起來,也就是所謂的硅基光電子,這將成為集成電路發(fā)展的一個重要方向?!睏畹氯式榻B,硅基光電子在其性能上有一系列的優(yōu)點,如帶寬較寬、功耗較小、基本沒有電磁干擾、體積小、接口密度大等?!耙舱驗檫@些優(yōu)點,會使得硅基光電子在今后的通訊數(shù)據(jù)中心、高性能計算、人工智能等方面具有廣泛的用途?!?

美國深知只要在芯片上做文章,就能夠給予中國較大的打擊。據(jù)美國媒體最新報道稱,日前美國就將芯片視作為打擊中國的一個有力政治武器。此前,美國就曾對荷蘭的阿斯麥公司施壓,威脅其不準將EUV高端光刻機賣給中國。我們都知道,光刻機是芯片制造最核心的設(shè)備,在中國芯片制造本就舉步維艱的時候,美國這一道禁令的威力可想而知。

我國擁有非常多的優(yōu)秀半導(dǎo)體企業(yè),在芯片設(shè)計、制造、封裝和材料,設(shè)備等領(lǐng)域,都有相應(yīng)的企業(yè)。諸如華為海思、中芯國際、晶瑞股份以及上海微電子等等,均屬于國內(nèi)半導(dǎo)體的頭部玩家。

在這些企業(yè)的開拓下,中國芯片不斷加速進步,去年華為發(fā)布了首款5nm麒麟9000,今年中芯國際即將在上海建設(shè)國內(nèi)第一座FinFET工藝生產(chǎn)線。還有清華大學(xué)也在高端EUV光刻機光源取得進步。

國產(chǎn)芯片存在不足應(yīng)該正視并改進,有進步的地方也值得驕傲和自豪。正所謂不積小流,無以成江海。國產(chǎn)芯片的突破不可能一蹴而就,再多給國產(chǎn)芯片一些時間,讓技術(shù)研發(fā),人才培養(yǎng)和企業(yè)進步,都有足夠的發(fā)展空間。

只有打好產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ),才能進一步提升芯片產(chǎn)能,到時候國產(chǎn)芯片的現(xiàn)狀必將是自強不息。

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