電容有兩個(gè)重要特性，一個(gè)是隔直通交，另一個(gè)是電容電壓不能突變，先來(lái)看一下百度百科對(duì)容抗的解釋。

簡(jiǎn)單說，雖然交流電能通過電容，但是不同頻率的交流電和不同容值的電容，通過時(shí)的阻礙是不一樣的，把這種阻礙稱之為容抗。

容抗與電容和頻率的大小成反比，也就是說，在相同頻率下，電容越大，容抗越小;在相同電容下，頻率越高，容抗越小。

理想電容器

理想電容器阻抗如下圖所示，和頻率呈反比，隨著頻率的增加，阻抗逐漸減小，由于理想電容器中無(wú)損耗，等效串聯(lián)電阻ESR為零。

理想電容器的阻抗Z公式為：

電容實(shí)際等效模型

理想的電容器在實(shí)際中是不存在的，電容的實(shí)際模型是一個(gè)ESR串聯(lián)一個(gè)ESL，再串聯(lián)一個(gè)電容，ESR是等效串聯(lián)電阻，ESL是等效串聯(lián)電感，C是理想的電容。

所以上述模型的復(fù)阻抗為：

電容器表現(xiàn)為容性

電容器表現(xiàn)為感性，因此會(huì)有一句話叫高頻時(shí)電容不再是電容，而呈現(xiàn)為電感，這個(gè)電感不是說電容變成了電感，而是指此時(shí)的電容擁有了與電感類似的特性。

容抗矢量等于感抗矢量，電容的總阻抗最小，表現(xiàn)為純電阻特性，此時(shí)的f稱為電容的自諧振頻率。

自諧振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容是容性還是感性的分界點(diǎn)，高于諧振點(diǎn)時(shí)，“電容不再是電容”，因此退耦作用將下降。實(shí)際電容器都有一定的工作頻率范圍，在工作頻率范圍內(nèi)，電容才具有很好的退耦作用。ESL是電容在高于自諧振頻率點(diǎn)之后退耦功能被消弱的根本原因。

下圖是實(shí)際電容器的頻率特性。