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[導(dǎo)讀]由于對(duì)華為的銷售停滯、中國(guó)電動(dòng)汽車需求放緩以及部分5G的業(yè)務(wù)推遲,市場(chǎng)普遍認(rèn)為,在Cree 2020財(cái)年(截止2020年6月),Wolfspeed的收入將下降7%,至5.02億美元

不久之前,Cree還以LED元件和照明產(chǎn)品供應(yīng)商而聞名。但今天,在5月份以3.1億美元出售了LED照明業(yè)務(wù)后,Cree的大部分收入以及大部分毛利潤(rùn)都來(lái)自其Wolfspeed 功率半導(dǎo)體和材料部門。

SiC芯片和Wolfspeed的戰(zhàn)略

Cree占全球SiC產(chǎn)量的60%以上。SiC是一種化合物,用于制造比Si能承受更高溫度和電壓的芯片。雖然SiC芯片往往成本更高,但其熱特性使其比同類硅芯片提供更高的功率密度、更快的功率切換速度和/或更低的功率切換損耗。

由于SiC芯片的特性,長(zhǎng)期以來(lái)一直被用于航空航天和國(guó)防設(shè)備。近年來(lái),得益于射頻晶體管的采用,SiC芯片的銷售在電動(dòng)汽車和移動(dòng)基站市場(chǎng)中迅速增長(zhǎng)。射頻晶體管的一種材料——GaN,在SiC襯底上分層。太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)和各種工業(yè)終端市場(chǎng)的需求也在不斷增長(zhǎng)。

為了從SiC應(yīng)用中獲利,Wolfspeed有兩方面的戰(zhàn)略:向意法半導(dǎo)體(STM)、英飛凌(Infineon)和ON等第三方芯片制造商銷售裸晶片和外延晶片,并銷售內(nèi)部設(shè)計(jì)的芯片。為了幫助后者,Cree去年斥資3.45億歐元(3.8億美元)收購(gòu)了英飛凌的射頻電源芯片業(yè)務(wù)。

由于對(duì)華為的銷售停滯、中國(guó)電動(dòng)汽車需求放緩以及部分5G的業(yè)務(wù)推遲,市場(chǎng)普遍認(rèn)為,在Cree 2020財(cái)年(截止2020年6月),Wolfspeed的收入將下降7%,至5.02億美元。然而,隨著晶片銷量的持續(xù)增長(zhǎng),以及主要電動(dòng)汽車和5G基站設(shè)計(jì)的勝出,到2023財(cái)年,公司營(yíng)收預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)一倍以上。

在11月20日的Investor Day上,Cree表示,預(yù)計(jì)到2024年,Wolfspeed的GaN RF潛在市場(chǎng)總額將達(dá)到20億美元,而SiC功率芯片潛在市場(chǎng)總額將達(dá)到50億美元。在與TheStreet的談話中,Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe詳細(xì)分析了這兩大機(jī)遇。

5G帶來(lái)是重大機(jī)遇

Cree長(zhǎng)期以來(lái)一直認(rèn)為,5G基站的技術(shù)需求是需要支持非常高的數(shù)據(jù)速率,以及具有很寬的帶寬的更高頻段——這將推動(dòng)GaN-on-SiC射頻晶體管發(fā)展,也可以支持比其他選擇高得多的功率密度。Lowe表示,隨著市場(chǎng)從4G轉(zhuǎn)向5G,基站內(nèi)SiC的采用率“肯定會(huì)超過50%”。

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