不久之前，Cree還以LED元件和照明產品供應商而聞名。但今天，在5月份以3.1億美元出售了LED照明業(yè)務后，Cree的大部分收入以及大部分毛利潤都來自其Wolfspeed 功率半導體和材料部門。

SiC芯片和Wolfspeed的戰(zhàn)略

Cree占全球SiC產量的60%以上。SiC是一種化合物，用于制造比Si能承受更高溫度和電壓的芯片。雖然SiC芯片往往成本更高，但其熱特性使其比同類硅芯片提供更高的功率密度、更快的功率切換速度和/或更低的功率切換損耗。

由于SiC芯片的特性，長期以來一直被用于航空航天和國防設備。近年來，得益于射頻晶體管的采用，SiC芯片的銷售在電動汽車和移動基站市場中迅速增長。射頻晶體管的一種材料——GaN，在SiC襯底上分層。太陽能逆變器市場和各種工業(yè)終端市場的需求也在不斷增長。

為了從SiC應用中獲利，Wolfspeed有兩方面的戰(zhàn)略:向意法半導體(STM)、英飛凌(Infineon)和ON等第三方芯片制造商銷售裸晶片和外延晶片，并銷售內部設計的芯片。為了幫助后者，Cree去年斥資3.45億歐元(3.8億美元)收購了英飛凌的射頻電源芯片業(yè)務。

由于對華為的銷售停滯、中國電動汽車需求放緩以及部分5G的業(yè)務推遲，市場普遍認為，在Cree 2020財年(截止2020年6月)，Wolfspeed的收入將下降7%，至5.02億美元。然而，隨著晶片銷量的持續(xù)增長，以及主要電動汽車和5G基站設計的勝出，到2023財年，公司營收預計將增長一倍以上。

在11月20日的Investor Day上，Cree表示，預計到2024年，Wolfspeed的GaN RF潛在市場總額將達到20億美元，而SiC功率芯片潛在市場總額將達到50億美元。在與TheStreet的談話中，Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe詳細分析了這兩大機遇。

5G帶來是重大機遇

Cree長期以來一直認為，5G基站的技術需求是需要支持非常高的數據速率，以及具有很寬的帶寬的更高頻段——這將推動GaN-on-SiC射頻晶體管發(fā)展，也可以支持比其他選擇高得多的功率密度。Lowe表示，隨著市場從4G轉向5G，基站內SiC的采用率“肯定會超過50%”。