近來火熱的10nm工藝成為了行業(yè)的香餑餑，到了今年，這新一代的10nm工藝的發(fā)展只會是越來越好。

在新一代10nm工藝節(jié)點(diǎn)上，TSMC、三星的進(jìn)度都要比Intel更快，Intel的10nm工藝本應(yīng)在今年下半年問世，但有可能延期到2018年，以致于子公司Altera的FPGA代工都有可能重新回到TSMC懷抱。作為摩爾定律的提出者，Intel一直在捍衛(wèi)摩爾定律，該公司院士Mark Bohr日前談到了10nm工藝，認(rèn)為Intel的10nm不論在技術(shù)上還是成本上都優(yōu)于目前的14nm工藝，晶體管可縮小46%。

我們都知道半導(dǎo)體工藝越先進(jìn)，制造出的晶體管體積越小，性能越強(qiáng)，功耗越低。Intel企業(yè)院士Mark Bohr在IEEE刊物上提到了他們的10nm工藝的詳情，認(rèn)為Intel的10nm工藝不僅遠(yuǎn)超14nm工藝，也比其他公司的10nm工藝更好，10nm工藝制造出的晶體管最小柵極間距從上代的70nm縮減到了54nm，邏輯單元可縮小46%。

先進(jìn)工藝帶來的技術(shù)優(yōu)勢固然好，但越來越高的開發(fā)成本也讓很多公司卻步。對于這一點(diǎn)，Mark Bohr也承認(rèn)10nm工藝整體成本會比14nm更高，不過均攤到每個(gè)芯片上成本實(shí)際上還是降低了(但是Intel得清楚不是所有公司都有這么大產(chǎn)量的)

Mark Bohr如此夸贊10nm工藝，其實(shí)就是在外界強(qiáng)調(diào)摩爾定律未死，這是Intel過去三十多年領(lǐng)先業(yè)界的黃金定律，自然不會輕易放棄。

Intel科研人員說10nm處理器不僅可以提高性能，還可以降低功耗，但性能與功耗終究是要有所取舍的，Intel最近幾代處理器在性能上其實(shí)變化并不大，而10nm工藝實(shí)際上被公認(rèn)為低功耗工藝，并非高性能節(jié)點(diǎn)。Mark Bohr也表示新工藝的首要目標(biāo)是降低能耗，只有這樣才能在芯片中加入更多核心，或者在GPU中加入更多執(zhí)行單元，進(jìn)而降低整體成本。

三星的10nm工藝去年10月份就宣布量產(chǎn)了，TSMC也將在今年初期量產(chǎn)10nm工藝，不過這兩家的10nm工藝柵極間距確實(shí)不如Intel優(yōu)秀。至于GlobalFoundries，他們已經(jīng)確定跳過10nm工藝，直奔未來的7nm工藝，不過低功耗工藝上有12nm FD-SOI工藝。

Intel在14nm節(jié)點(diǎn)已經(jīng)出了14nm及14nm+代工藝了，而在10nm則規(guī)劃了三代工藝，分為10nm、10nm +、10nm ++，就算今年推出第一代10nm工藝，整個(gè)10nm節(jié)點(diǎn)至少也要維持三代處理器，直到2020年之后才會升級到7nm節(jié)點(diǎn)。