巧用NE555作通斷時間可調(diào)循環(huán)定時器電路圖

自耦變壓器原理圖

自耦變壓器是輸出和輸入共用一組線圈的特殊變壓器.升壓和降壓用不同的抽頭來實(shí)現(xiàn).比共用線圈少的部分抽頭電壓就降低.比共用線圈多的部分抽頭電壓就升高.其實(shí)原理和普通變壓器一樣的，只不過他的原線圈就是它的副線圈```一般的變壓器是左邊一個原線圈通過電磁感應(yīng)，使右邊的副線圈產(chǎn)生電壓``，自耦變壓器是自己影響自己

以555電路為核心的閃光電路圖

利用555時基電路制成的低頻振蕩電路，可以組成有趣的閃爍發(fā)光電路。以555電路為核心的閃光電路其正常工作時，發(fā)光二極管VD1和VD2將輪流交替閃爍，電路原理簡述如下：時基電路NE555和R1、R2、C1組成低頻振蕩器。電路起

直流至500KHZ的100W放大器電路

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555時基的抗干擾定時器電路圖

在運(yùn)用555時基電路設(shè)計而成的定時器電路中，一般都將555時基電路連接成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，這樣連接使得電路設(shè)計簡單，只需要幾個電阻器和電容器就能實(shí)現(xiàn)觸發(fā)功能，但同時也存在外部對555時基電路2腳的干擾問題，本電路巧妙的利用了555時基電路4腳的強(qiáng)制復(fù)位的功能來實(shí)現(xiàn)抗干擾的定時器電路。

OPA2111BM構(gòu)成的自動校零放大器電路圖

如圖所示為自動校零放大電路。OPA2111偏流極低(≤±4pA)，建立時間極短(1μs建立至0.01%精度)，噪聲很小(8nV/(Hz)1/2、10kHz)，經(jīng)自動校零可使失調(diào)電壓低于5μV，零漂≤0.028μV/C，折算到輸入端其零

三相半控橋式整流觸發(fā)電路圖

三相半控橋式整流觸發(fā)電路圖80年代制造的塑料擠出機(jī)，其主回路為三相380V電源經(jīng)整流變壓器B (380V/190V，32kV•A)和三相半控橋式整流電路整流后驅(qū)動直流電動機(jī)D (Z2—72，它激220V/22kW) 。三相半控橋的原

帶偏流補(bǔ)償?shù)膶拵Х糯箅娐穲D

圖(a)所示電路與一般反相放大電路的不同點(diǎn)僅在于反饋電阻輸入端點(diǎn)與反相輸入端之間串接了一個100kΩ的電位器，用于對直流偏流進(jìn)行補(bǔ)償。調(diào)整電位器Rp，使當(dāng)Vi=0V時，Vo=0。在補(bǔ)償端引腳1與10之間接相位補(bǔ)償電容

KJT1調(diào)節(jié)控制板電原理圖

KJTl調(diào)節(jié)控制板是由兩級運(yùn)算放大器組成的帶有比例積分環(huán)節(jié)的電流、速度雙閉環(huán)系統(tǒng)。該P(yáng)l調(diào)節(jié)板可以和KJZ2、KJZ3、KIz6及其它可控硅觸發(fā)板配套使用，可完成單相、三相交流調(diào)壓調(diào)速或直流調(diào)壓調(diào)速的功能。其品質(zhì)因數(shù)好

非?？岬恼也òl(fā)生電路圖

非常酷的正弦波發(fā)生電路圖:

三態(tài)緩沖器邏輯符號

三態(tài)緩沖器(Three -state Buffer)又稱為三態(tài)門、三態(tài)驅(qū)動器，其三態(tài)輸出受使能輸入端的控制，當(dāng)使能輸入有效時，器件實(shí)現(xiàn)正常邏輯狀態(tài)輸出(邏輯0、邏輯1);當(dāng)使能輸入無效時，輸出處于高阻狀態(tài)，即等效于與所連接的電

有源濾波器電路圖設(shè)計

基本上有4種類型的有源濾波器。他們巴特沃斯，貝塞爾，切比雪夫和橢圓濾波器。Butterworth濾波器這個過濾器也被稱為最大平坦或平坦的平面過濾，這一類的過濾器以及接近理想濾波器在通帶內(nèi)。不同類型的過濾器的頻率響

可控硅過零觸發(fā)調(diào)壓器原理電路

可控硅調(diào)壓器廣泛應(yīng)用于風(fēng)扇調(diào)速、燈具調(diào)光等場合。由于可控硅的開關(guān)器件，本身損耗少，比較起變壓器調(diào)壓來，可以節(jié)省不少電力，同時體積小、重量輕、穩(wěn)定可靠。如下圖所示的可控硅過零觸發(fā)調(diào)壓器電路分為過零檢測和

8255數(shù)碼管顯示電路圖

8255數(shù)碼管顯示電路原理圖 8255數(shù)碼管顯示效果圖

全面了解cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用

靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。