示波器的存儲深度是指示波器單次觸發(fā)所能采集和存儲的采樣點數(shù)量，決定了儀器能夠捕獲和分析信號的時間長度和細節(jié)。
?CLLC諧振雙向DC變換器是一種具有雙向能量傳輸、電氣隔離和電壓轉(zhuǎn)換功能的電源轉(zhuǎn)換器?。
當電機出現(xiàn)缺相運行時，會導致電機無法正常工作，甚至可能損壞。缺相運行通常是由于電源線路問題或電機內(nèi)部接線不良所致。
電容的旁路作用原理基于其容抗頻率特性和儲能特性，通過為高頻噪聲提供低阻抗通路實現(xiàn)信號分流與電源穩(wěn)定。
電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。
因其輸出端在原邊繞組斷開電源時獲得能量故而得名。反激式變換器以其電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉而深受廣大開發(fā)工程師的喜愛。
快速充電,電容充電是一種快速的充電方式，可以在短時間內(nèi)實現(xiàn)向電容器內(nèi)注入大量電荷的過程。這與電容器內(nèi)部構(gòu)造以及電容的特性密切相關(guān)。
控制EMI的方法有許多種，包括屏蔽、濾波、隔離、鐵氧體磁環(huán)、信號邊沿控制以及在PCB中增加電源和GND層等等。就電源而言，傳統(tǒng)方法是通過減慢開關(guān)邊沿或降低開關(guān)頻率。
電磁干擾主要是傳導干擾和輻射干擾，傳導干擾是在輸入和輸出線上流過的干擾噪聲，來源于差模電流噪聲和共模電流噪聲;輻射干擾是通過空間輻射的干擾噪聲，來源于電場發(fā)射和磁場發(fā)射，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換。
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件，其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。
在開關(guān)節(jié)點(SW)與地之間并聯(lián)RC緩沖器(C=1nF-10nF，R=1Ω-10Ω)，通過阻尼消耗振蕩能量。緩沖電阻功率需按P=0.5·C·V2·Fsw計算，確保長期可靠性。
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。
IGBT是一個發(fā)熱源，其導通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開通時間與關(guān)斷時間。
高性能磁性材料是具有高磁能積和矯頑力的材料，用于制造各種磁性設(shè)備。高性能磁性材料是一類具有高磁能積和矯頑力的材料，可以產(chǎn)生強大的磁場，廣泛應用于電力機械、電子、信息、通信、航空、國防等領(lǐng)域。
當被保護線路的電壓超過預定的最大值時，過電壓保護機制會使電源斷開或使受控設(shè)備的電壓降低，從而保護設(shè)備免受損害。
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