通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在開關轉化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實際的應用中會產(chǎn)生一些問題，本文將詳細地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
近日消息，，富士通決定撤出芯片制造業(yè)務，可能寫下日本半導體產(chǎn)業(yè)變遷的最末一章，但愿意締結聯(lián)盟并聚焦于自家長處的業(yè)者仍有機會。日前傳出，富士通將把生產(chǎn)影像處理系統(tǒng)整合芯片的三重工廠售予臺灣的聯(lián)電公司，并
50Hz交流電壓經(jīng)過全波整流后變成脈動直流電壓u1，再通過輸入濾波電容得到直流高壓U1。在理想情況下，整流橋的導通角本應為180°(導通范圍是從 0°～180°)，但由于濾波電容器C的作用，僅在接近交流峰值電壓
作為一個電子工程師，您真正掌握了模擬電路技術嗎?掌握模擬電路分為三個層次：初級層次、中級層次、高級層次。
見過多次這樣的問題了，基本上都是問：放大時，發(fā)射結正偏、集電結反偏。但是，集電結反偏，這不是截止狀態(tài)嗎，三極管怎么還能放大?翻了幾本書，確實，書上都沒有仔細介紹反偏、截止的工作過程。下面，做而論道簡單說
介紹在FPGA器件上如何實現(xiàn)單通道數(shù)字下變頻(DDC)系統(tǒng)。利用編寫VHDL程序和調(diào)用部分IP核相結合的方法研究了數(shù)字下變頻的FPGA實現(xiàn)方法，并且完成了其主要模塊的仿真和調(diào)試，并進行初步系統(tǒng)級驗證。
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