在高頻電子電路領(lǐng)域,PTFE(聚四氟乙烯)材料因其優(yōu)異的低介電常數(shù)和低損耗特性,被廣泛應(yīng)用于高頻印制電路板(PCB)的制造。然而,PTFE材料的表面能低、化學(xué)惰性強(qiáng),導(dǎo)致其與銅箔及其他層壓材料之間的層間結(jié)合力較弱,這在一定程度上限制了高頻PTFE混壓板的性能和可靠性。為了解決這一問題,本文探討了等離子體處理和低流動(dòng)度半固化片的應(yīng)用對(duì)高頻PTFE混壓板層間結(jié)合力的提升效果,并通過相關(guān)實(shí)驗(yàn)和代碼模擬進(jìn)行驗(yàn)證。
在高速高頻電子電路領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)電路性能起著決定性作用。超低損耗碳?xì)浠衔锊牧弦蚱鋬?yōu)異的電氣性能,如低介電常數(shù)(Dk)和低損耗因子(Df),被廣泛應(yīng)用于微波、毫米波電路以及高速數(shù)字電路中。松下M6S和羅杰斯RO1200是兩款備受關(guān)注的超低損耗碳?xì)浠衔锊牧?。本文將深入評(píng)測(cè)這兩款材料的Dk/Df頻變特性,建立頻變模型,并通過代碼進(jìn)行模擬分析,為電路設(shè)計(jì)者提供有價(jià)值的參考。
在電子制造領(lǐng)域,3D打印技術(shù)正逐漸嶄露頭角,為復(fù)雜結(jié)構(gòu)電子器件的制造帶來了新的可能性。3D打印金屬化通孔作為實(shí)現(xiàn)電子器件層間電氣連接的關(guān)鍵技術(shù),其導(dǎo)電性和熱疲勞壽命直接影響著器件的性能和可靠性。納米銀燒結(jié)技術(shù)因其優(yōu)異的導(dǎo)電性能和良好的熱穩(wěn)定性,成為3D打印金屬化通孔的理想材料選擇。本文將探討納米銀燒結(jié)在3D打印金屬化通孔中的應(yīng)用,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其導(dǎo)電性和熱疲勞壽命>5000次循環(huán)。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,封裝基板作為芯片與外部電路連接的關(guān)鍵橋梁,其性能和質(zhì)量直接影響著整個(gè)半導(dǎo)體器件的可靠性和性能。銅面粗糙度是封裝基板的重要質(zhì)量指標(biāo)之一,過高的銅面粗糙度會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸損耗增加、阻抗不匹配、可靠性降低等問題。因此,有效控制半導(dǎo)體封裝基板銅面粗糙度至關(guān)重要。電鍍添加劑和脈沖反鍍技術(shù)作為控制銅面粗糙度的關(guān)鍵手段,近年來受到了廣泛關(guān)注。
太赫茲(THz)波位于微波與紅外光之間,具有獨(dú)特的頻譜特性,在高速通信、高分辨率成像、無損檢測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在太赫茲系統(tǒng)中,波導(dǎo)作為重要的傳輸元件,需要與微帶線等平面電路進(jìn)行高效連接。D波段(110 - 170GHz)作為太赫茲頻段的重要子頻段,其微帶線 - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。S11參數(shù)(反射系數(shù))是衡量轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一,S11< - 20dB意味著大部分能量被有效傳輸,反射能量極小,這對(duì)于保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。
隨著5G及未來6G通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,毫米波頻段因其豐富的頻譜資源成為實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵。天線集成封裝(AiP,Antenna in Package)技術(shù)將天線與射頻前端集成于一體,有效減小了系統(tǒng)體積,提高了集成度。在毫米波AiP天線集成中,低溫共燒陶瓷(LTCC)轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的結(jié)合應(yīng)用日益廣泛。然而,由于毫米波頻段的高頻特性,電磁場(chǎng)、熱場(chǎng)、應(yīng)力場(chǎng)等多物理場(chǎng)之間的耦合效應(yīng)顯著,對(duì)天線性能和系統(tǒng)可靠性產(chǎn)生重要影響。因此,開展LTCC轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理需求的飛速增長(zhǎng),DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)內(nèi)存技術(shù)不斷迭代升級(jí)。DDR6作為新一代高速內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),其數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升,這對(duì)信號(hào)完整性提出了更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。在DDR6預(yù)布局階段,確保信號(hào)完整性至關(guān)重要,其中ODT(On-Die Termination,片上終端電阻)參數(shù)自適應(yīng)與三維封裝協(xié)同仿真方法是解決信號(hào)完整性問題的關(guān)鍵技術(shù)手段。
引言 隨著數(shù)據(jù)通信需求的爆炸式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)Ω咚俦嘲逍诺赖膫鬏斔俾侍岢隽烁咭蟆?24G PAM6(6級(jí)脈沖幅度調(diào)制)技術(shù)憑借其高帶寬利用率和相對(duì)較低的實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度,成為下一代高速背板信道的關(guān)鍵技術(shù)之一。然而,在224G PAM6背板信道中,玻纖效應(yīng)和信道衰減等問題嚴(yán)重影響了信號(hào)的傳輸質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的高速數(shù)據(jù)傳輸,必須對(duì)背板信道進(jìn)行優(yōu)化,玻纖效應(yīng)補(bǔ)償與混合調(diào)制均衡技術(shù)成為解決這些問題的有效手段。
在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,布線是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。隨著芯片集成度的不斷提高和信號(hào)頻率的日益增加,串?dāng)_問題逐漸成為制約電路性能的關(guān)鍵瓶頸。串?dāng)_會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真、誤碼率上升,嚴(yán)重影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。傳統(tǒng)的布線方法往往難以充分考慮串?dāng)_因素,而AI輔助布線引擎,尤其是強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù)的引入,為解決這一問題提供了新的思路和方法。
汽車電子系統(tǒng)在車輛運(yùn)行過程中面臨著復(fù)雜多變的環(huán)境條件,如溫度的劇烈變化和持續(xù)的振動(dòng)。溫度循環(huán) - 振動(dòng)聯(lián)合試驗(yàn)是評(píng)估汽車電子產(chǎn)品可靠性的重要手段,而焊點(diǎn)作為電子元件與PCB(印制電路板)之間連接的關(guān)鍵部位,其失效是導(dǎo)致汽車電子產(chǎn)品故障的主要原因之一。建立準(zhǔn)確的焊點(diǎn)失效模型,有助于預(yù)測(cè)焊點(diǎn)在聯(lián)合試驗(yàn)環(huán)境下的壽命,為汽車電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供理論依據(jù)。
剛撓結(jié)合板(Rigid-Flex PCB)作為一種將剛性板和撓性板有機(jī)結(jié)合的特殊印制電路板,兼具了剛性板的穩(wěn)定性和撓性板的可彎曲性,在航空航天、醫(yī)療器械、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,剛撓結(jié)合板的設(shè)計(jì)相較于傳統(tǒng)剛性板更為復(fù)雜,尤其是彎曲半徑和導(dǎo)體走線應(yīng)力問題,直接關(guān)系到產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。本文將深入探討剛撓結(jié)合板的設(shè)計(jì)規(guī)范,并介紹如何通過仿真手段對(duì)彎曲半徑和導(dǎo)體走線應(yīng)力進(jìn)行分析和優(yōu)化。
在電子制造行業(yè),設(shè)計(jì)文件(Design File)到實(shí)際產(chǎn)品制造之間存在諸多環(huán)節(jié),任何一個(gè)細(xì)微的疏忽都可能導(dǎo)致生產(chǎn)問題,如產(chǎn)品良率下降、成本增加甚至交貨延遲。可制造性設(shè)計(jì)(Design for Manufacturability,DFM)理念應(yīng)運(yùn)而生,旨在從設(shè)計(jì)階段就充分考慮制造的可行性和效率。DFM規(guī)則引擎作為DFM理念的核心工具,能夠?qū)τ?jì)算機(jī)輔助制造(Computer-Aided Manufacturing,CAM)數(shù)據(jù)進(jìn)行可制造性檢查,并實(shí)現(xiàn)智能修正,從而確保設(shè)計(jì)能夠順利轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量的產(chǎn)品。
在高頻電子電路領(lǐng)域,高頻混壓板因其能夠整合不同材料的特性,滿足復(fù)雜電路設(shè)計(jì)需求而得到廣泛應(yīng)用。然而,高頻混壓板在制造過程中面臨著層間對(duì)準(zhǔn)的難題。層間對(duì)準(zhǔn)精度直接影響著電路的性能和可靠性,若對(duì)準(zhǔn)偏差過大,會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸延遲、串?dāng)_增加等問題,進(jìn)而降低整個(gè)電子系統(tǒng)的性能。X-Ray補(bǔ)償與膨脹系數(shù)匹配策略是解決高頻混壓板層間對(duì)準(zhǔn)問題的關(guān)鍵技術(shù),本文將深入探討這兩種策略的原理、實(shí)現(xiàn)方法以及相關(guān)代碼示例。
在高速數(shù)字電路和微波射頻領(lǐng)域,基板材料的性能對(duì)信號(hào)傳輸質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。超低損耗基板材料能夠顯著降低信號(hào)在傳輸過程中的衰減,提高信號(hào)的完整性和系統(tǒng)的可靠性。松下Megtron 8和羅杰斯RO4835LoPro是兩款備受關(guān)注的超低損耗基板材料,本文將通過實(shí)際測(cè)試對(duì)它們的性能進(jìn)行對(duì)比評(píng)測(cè)。
在現(xiàn)代電子設(shè)備高度集成化和復(fù)雜化的背景下,電磁干擾(EMI)問題日益凸顯,它不僅會(huì)影響設(shè)備的性能與可靠性,還可能對(duì)周圍電子系統(tǒng)造成干擾,甚至危及人員安全。因此,精準(zhǔn)定位EMI輻射源成為解決這一問題的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。近場(chǎng)掃描與電磁拓?fù)浞聪蜃粉櫵惴ㄗ鳛閮煞N有效的技術(shù)手段,為EMI輻射源定位提供了有力支持。
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