Vishay參加11月24日在西安舉行的2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇
日前,Vishay Intertechnology, Inc.參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦,由Vishay技術(shù)專(zhuān)家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告,探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。Vishay專(zhuān)家將和很多其他行業(yè)的專(zhuān)家一道,對(duì)各種話題做專(zhuān)題報(bào)告。
9:40a.m.至10:15a.m,Vishay區(qū)域市場(chǎng)經(jīng)理Michael Huang將介紹不同特性的不同類(lèi)型電容器如何滿足各種應(yīng)用的需求,包括長(zhǎng)使用壽命、高電流、高電壓沖擊和耐高溫能力。他介紹Vishay用于電源和專(zhuān)用工業(yè)應(yīng)用的電容器,如電力傳輸、石油勘探和新能源。
Vishay區(qū)域市場(chǎng)經(jīng)理Steven Lv在10:15a.m.至10:50a.m介紹如何在各種電源應(yīng)用中使用電阻和電感器。他的報(bào)告重點(diǎn)是選擇正確元件的重要性,并重點(diǎn)介紹Vishay的電阻和電感器的特性和應(yīng)用。
Vishay助理產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理Tom Xu就用于新能源、軍工和通信應(yīng)用中的功率MOSFET和集成DrMOS解決方案做報(bào)告,時(shí)間是2:10p.m.至2:45p.m.。他介紹前沿的TrenchFET® gen IV低壓功率MOSFET和Super Junction技術(shù)等最新的高壓MOSFET技術(shù)。
2:45p.m.至3:20p.m.,Vishay高級(jí)工程師Tony Wei介紹在新能源和工業(yè)應(yīng)用中使用二極管和功率模塊的情況。他的演講主題是在太陽(yáng)能電池接線盒和逆變器模塊使用低正向壓降TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基二極管和旁路二極管,F(xiàn)RED® Pt超快二極管,以及在太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)應(yīng)用中的晶閘管。