電信熱插拔參考設(shè)計(jì)有效解決輸入瞬間過壓及掉電問題
概述
典型的電信系統(tǒng)必須能夠滿負(fù)荷工作在-36V至-72V兩個(gè)電壓源,另外還必須提供雷電感應(yīng)、高壓脈沖以及輸入電壓在幾毫秒內(nèi)跌落到0V情況下的保護(hù)措施??刹灏尉€卡通常包含一個(gè)從高壓到低壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器帶有熱插拔保護(hù)電路。當(dāng)線卡帶電插入一個(gè)背板時(shí),該電路可以限制浪涌電流,使其略高于滿負(fù)荷電流。板上濾波電容充滿電后,熱插拔電路還必須提供一個(gè)電源就緒信號(/PGOOD),以開啟后續(xù)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。本文詳細(xì)介紹了對熱插拔電路的要求。大部分要求與AdvancedTCA® (ATCA®)一級熱插拔電路相同。
典型電信系統(tǒng)要求
輸入電壓范圍:-43V至-72V
輸入采用雙二極管“或”邏輯
-32V至-36V關(guān)閉(二極管之前的電源)
80W (最大)輸入功率,CLOAD = 680µF
耐壓-150V,1ms過壓脈沖¹
掉電支持,0V,從-43V輸入電壓開始16ms的瞬時(shí)掉電;在此期間/PGOOD必須保持低電平
43V啟動時(shí),浪涌電流 ≤ 1.5倍滿負(fù)荷電流
參考設(shè)計(jì)特性和考慮
欠壓閉鎖(UVLO)上升門限可以設(shè)置到~43V,過壓閉鎖(OVLO)上升門限可以設(shè)置到 ≥ 72V。
安裝在輸入端的兩個(gè)100V肖特基二極管實(shí)現(xiàn)兩個(gè)獨(dú)立電源的“或”邏輯。
UVLO下降門限可以設(shè)置到~32V,必須滿足電信系統(tǒng)規(guī)范第6項(xiàng),電壓降低UVLO下降門限時(shí),/PGOOD保持有效,系統(tǒng)保持正常工作。
VIN = 43V時(shí)PIN = 80W,輸入電流為1.86A。
對于U1、C3、C4和Q2,70V TVS二極管能夠?qū)⑤斎腚妷恒Q位在一個(gè)安全電平。這個(gè)二極管可以直接跨接在輸入端,或MAX5921熱插拔控制器的VDD–VEE引腳,并且串聯(lián)一個(gè)5Ω電阻與VIN隔離。
從43V到32V跌落的16ms時(shí)間內(nèi),儲能電容(C3)存儲足夠的能量支持80W負(fù)載的供電。該電容通過一個(gè)電阻充電,以限制充電電流,使其保持在電信系統(tǒng)規(guī)范第7項(xiàng)中規(guī)定的輸入浪涌電流的一小部分。放電期間,肖特基二極管旁路這個(gè)充電限流電阻。
斷路器最低觸發(fā)門限可選,容許在43V時(shí)設(shè)置為2.8A,150%啟動浪涌電流,電壓低至32V時(shí),保持2.5A滿負(fù)荷工作。
電信熱插拔參考設(shè)計(jì)
電信熱插拔參考設(shè)計(jì)采用MAX5921熱插拔控制器,如圖1所示。
圖1. MAX5921電信參考設(shè)計(jì)原理圖
啟動特性
ULVO上升電壓門限由分壓電阻² (R1+R2):R3設(shè)置為:
雖然輸入U(xiǎn)VLO上升開啟門限由分壓比(R1+R2):R3設(shè)定,輸入U(xiǎn)VLO下降關(guān)閉門限由分壓比R2:R3設(shè)定。因?yàn)閱悠陂g,一旦產(chǎn)生輸出電壓,Q2會短接至R1。
輸入電壓緩慢上升到UVLO升壓門限時(shí),會產(chǎn)生圖2所示波形。這種情況發(fā)生在:
VIN - VS1 = VIN - VEE + VF(D1) ≈ 42.4V
柵極電壓升至中間值,控制輸出電壓的擺率為2.2V/ms,以此限制輸出電容(C4)的充電電流。輸入電流(IC4 + IC3)峰值為1.75A。當(dāng)VOUT達(dá)到它的最終值,輸入電流降至充電電流(IC3)。
圖2. VIN上升時(shí)的導(dǎo)通特性
通過選擇C2可以控制啟動時(shí)的輸入浪涌電流。
由此,浪涌電流限制在 ≤ 1.5倍的啟動電流(43V輸入時(shí),1.86A)。較小的C2會增大浪涌電流。比如,如果C2 = 12nF,IINRUSH = 2.55A,接近所要求的2.8A。圖2所示為輸入浪涌電流。[!--empirenews.page--]
圖3與圖2類似,只是圖中/PGOOD在VGATE達(dá)到最終值7ms后、VOUT達(dá)到其最終值15ms后輸出低電平。
圖3. /PGOOD的開啟特性
熱插拔過程將要結(jié)束時(shí),Q2短接至R1、UVLO下降門限被設(shè)定在大約32V,滿足電信系統(tǒng)規(guī)范的第3、第6項(xiàng)要求。
圖4所示為啟動時(shí)C3的充電過程,因?yàn)镃3的初始充電電流在VIN = 50V時(shí)只有~100mA峰值,所以充電時(shí)間與輸出負(fù)載無關(guān),充電時(shí)間大約為10s。在啟動10s后或出現(xiàn)一次欠壓后,才能提供電壓跌落支持。
圖4. 導(dǎo)通時(shí)C3儲能電容充電
掉電保護(hù)
電壓跌落期間的保持時(shí)間按照以下步驟計(jì)算:
P = 80W,C3 = 5400µF
掉電可能發(fā)生在最差工作條件下:VIN = 43V,此時(shí):
VOUT = VIN - VF(D1) = 43V - 0.55V = 42.45V[!--empirenews.page--]
一旦輸入電壓開始下降,VOUT將下降一個(gè)D4二極管的壓降,或額外的0.6V,下降至41.85V。
下降期間,由C3提供負(fù)載供電,并且/PGOOD在達(dá)到以下條件之前保持有效:
UVLOMAX = 33.6V = [VCAP - VF(D4) + VF(Q1)]或VCAP = 34.8V
因此,電容可以有10%的誤差,計(jì)算所得的保持時(shí)間為16.4ms。
輸入電壓下降時(shí),如果D1或D2沒有導(dǎo)通,C3通過體二極管Q1為MAX5921的輸入供電。因此,在欠壓期間,MAX5921正常工作并提供有效的/PGOOD。
在長達(dá)16ms的輸入電壓跌落期間(從VIN = 43V跌落到VOUT = 32V),通過C3可以維持輸出功率為80W。上電時(shí),C3通過電阻R11充電。C4在啟動時(shí)充電,為了防止C3充電電流超過輸入浪涌電流,選擇C3 x R11的時(shí)間常數(shù)為4860ms。因此,在上電10s后才能提供掉電保護(hù)支持。
圖5所示為掉電保護(hù)波形圖,圖中初始功率約為
4.185A × 41.85V ≈ 175W (注意:一旦斷開輸入電源,輸出電壓將由于D4的正向?qū)ǘ陆?。
圖5. 電壓跌落時(shí)的波形
從43V開始下降,16ms后輸出電壓下降至31.5V,功率約為3.15A × 3.15V ≈ 99W。由此可以看出:C3存儲能量足以支持掉電保護(hù)的需求。
過壓鎖定
OVLO上升電壓門限由分壓比R4:R5設(shè)定:
斷路器觸發(fā)門限
選擇適當(dāng)?shù)臄嗦菲饔|發(fā)門限以保證在VIN達(dá)到指定的最小值以前或初始上電時(shí)不會觸發(fā)斷路。因此,斷路觸發(fā)門限需要根據(jù)較大的80W/32V = 2.5A或(1.5 × 80W)/43V = 2.8A進(jìn)行計(jì)算。由于在16ms瞬時(shí)掉電期間由C3為負(fù)載供電,在此期間沒有電流通過檢流電阻。電阻R7按照下式設(shè)置觸發(fā)門限:
脈沖過壓保護(hù)
MAX5921需要提供100V以上的輸入瞬變保護(hù),可以參考以下兩個(gè)電路:
一個(gè)電路中,在+VIN和MAX5921的VDD引腳之間串聯(lián)了一個(gè)5.6Ω電阻(R8),VDD和VEE引腳之間連接了一個(gè)TVS二極管(D3)。這種情況下,只有MAX5921得到保護(hù),C3、C4和Q2的額定值應(yīng)該> 150V瞬變。
另一個(gè)電路中,在邏輯“或”二極管后面直接將TVS二極管連接VIN各端,為整個(gè)電路提供,選用SMBT70A (D3)限制瞬態(tài)脈沖,使其 ≤ 100V,并在75V時(shí)可以通過 < 1mA的電流。電路由D3提供輸入電壓保護(hù),在0.2焦耳電容放電產(chǎn)生的脈沖(見注釋1)沖擊下提供有效保護(hù)。
僅保護(hù)MAX5921
圖6和圖7中,D3提供器件的輸入瞬態(tài)保護(hù)。安裝R8,只有MAX5921受保護(hù),出現(xiàn)0.2焦耳的輸入脈沖(見注釋1)。
圖6. 脈沖過壓保護(hù)特性,僅保護(hù)MAX5921,最初的9µs.[!--empirenews.page--]
圖7. 脈沖過壓保護(hù)特性,僅保護(hù)MAX5921,最初的9ms
VDD - VSS限定在84.4V,輸入電流出現(xiàn)一個(gè)寬度為4µs、峰值為46A的三角尖峰。
VIN上升3ms,峰值達(dá)到165V或比最初的50V高出115V。VOUT - VEE也隨著VIN上升至高于0V初始值的115V。MAX5921的輸入瞬變和OVLO電路保護(hù)機(jī)制引起短暫的柵極關(guān)閉,輸入脈沖在輸出端被抑制。柵極關(guān)閉期間,C3為輸出供電。
整個(gè)電路的保護(hù)
圖8和圖9所示波形是短接R8時(shí)的測試結(jié)果,能夠?yàn)镸AX5921、Q1以及Q1的后續(xù)電路提供保護(hù)。
圖8. 脈沖過壓保護(hù)特性;完整的電路保護(hù);最初的10ms
圖9. 脈沖過壓保護(hù)特性;完整的電路保護(hù);最初的10s
VIN需要大約6µs的時(shí)間從初值上升至98V或50V,并且在30µs內(nèi)下降到~65V,然后經(jīng)過6ms下降到初始值。輸入電壓峰值伴隨一個(gè)峰值為66A、寬度為6µs的三角形電流尖峰。這個(gè)電流完全流過D3。
柵極電壓在500ns內(nèi)下降至接近0V,在~12ms內(nèi)恢復(fù)至正常值。關(guān)閉Q1抑制輸入瞬變。
VOUT - VEE會在最初的100ns內(nèi)上升至~60V,然后會快速下降到一個(gè)較寬的50V脈沖,持續(xù)6µs,然后在6ms內(nèi)返回到正常電平。除了柵極關(guān)閉的最初400ns,輸入脈沖在輸出端被完全抑制掉。在VGATE返回到其正常值,瞬變恢復(fù)之前,由C3為負(fù)載供電。
總結(jié)
本文提供的電信熱插拔參考設(shè)計(jì)能夠滿足典型電信系統(tǒng)的規(guī)范要求,支持 ≥ 16ms的有效保持時(shí)間。過壓脈沖保護(hù)可以僅提供給MAX5921或也可以為整個(gè)電路提供過壓脈沖保護(hù)。如果用戶只要求用D3保護(hù)MAX5921,可以切斷R8的短路線。切斷R8兩端的短路線后,C3和C4的額定值為160V。Diodes公司的TVS二極管SMBT70A是瞬態(tài)過壓保護(hù)的關(guān)鍵—其它TVS二極管不能勝任本設(shè)計(jì)的要求。