如圖所示,這個(gè)簡(jiǎn)單的電路在電平檢測(cè)器中使用一個(gè)LM311,并且用一個(gè)CMOS模擬電門來釋放電容。這種計(jì)數(shù)器的一大特點(diǎn)就是數(shù)可以改變。只有當(dāng)比較器運(yùn)行地較快時(shí)才需要改變電壓的大小。用相同的道理可以設(shè)計(jì)出一個(gè)價(jià)格便
顯示器顯示的是每次的增量。使用模式2時(shí),假設(shè)開關(guān)的抖動(dòng)小于35ms,則不需要電門開關(guān)的外部消除抖動(dòng)。如果和一個(gè)合適的電容器并聯(lián),那么3V的鋰電池就可以在不影響電路運(yùn)行地條件下被替代。如果可能的話,在最小化電流
該電路可和英特錫爾8038CC電路連用。頻率范圍大約是20Hz-20kHz,調(diào)諧范圍是1000:1,并且是單獨(dú)控制的。輸出頻率是由C2的值和電位計(jì)R1的設(shè)定值決定的。C2的其他值可改變頻率的范圍。增加C2的值會(huì)減小頻率。最低的可能
該晶體振蕩器是一個(gè)真空管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管等價(jià)物,被調(diào)諧到板調(diào)網(wǎng)絡(luò)晶體振蕩器。反饋是通過損耗到達(dá)門電容的。
該振蕩器可能包括幾個(gè)轉(zhuǎn)換晶體管,這些晶體管是用來提供信道化操作的。如果需要的話,可增加一個(gè)緩沖放大器。
該電路使用一個(gè)在其線性模型時(shí)偏置的LT1011比較儀,和一個(gè)用來設(shè)置諧振頻率的晶體管。該電路的頻率可達(dá)數(shù)百kHz,并且與溫度無關(guān)的時(shí)鐘頻率的占空比大約是50%。
低功率5V驅(qū)動(dòng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器電路圖如下所示:
信號(hào)(函數(shù))發(fā)生器電路圖如下所示:
場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸入放大器有帶源頭反饋的固定偏壓。所以輸入阻抗很高而電容卻很低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可驅(qū)動(dòng)一個(gè)射極跟隨器,盡管其輸出阻抗很低,并且以3:1的匝比供給一個(gè)變壓器供。結(jié)果陶瓷共振器的阻抗最低時(shí)只有幾歐姆。
該電路的輸出波形既可以是方波的也可以是三角波的。左邊區(qū)域的功能和使用正反饋磁滯比較儀電路的功能是一樣的。反相輸入在電源的一半處被電阻R4和R5偏置。輸出反饋到第一階的同相輸入以控制頻率。方波的振幅是第一階
該場(chǎng)效應(yīng)晶體管皮爾斯振蕩器很穩(wěn)定,也很簡(jiǎn)單。既可用作一個(gè)微處理器,也可用作一個(gè)數(shù)字計(jì)時(shí)器或者是計(jì)算器。其輸出端的探頭可用作檢修時(shí)精確的注入振蕩器。在輸出端加上一段很短的電線,該電路就成了一個(gè)微功率發(fā)射
這個(gè)穩(wěn)定振蕩器電路在3-9V的電源范圍的變化不會(huì)超出1Hz。這個(gè)電路之所以這么穩(wěn)定,是由于使用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管和穩(wěn)定的電容器。
當(dāng)需要線性控制電壓時(shí),就需要用到這個(gè)線性充電斜坡發(fā)生器??捎糜谝恍┰O(shè)備中,比如長(zhǎng)周期的壓控定時(shí)器,電壓—脈寬轉(zhuǎn)換器,和線性脈寬調(diào)制器。Q1是電流源晶體管,為定時(shí)電容Ct提供固定的電流。
該振蕩器的輸出具有高光譜純度,并且很穩(wěn)定。晶體管除了決定振蕩器的頻率,還可用作一個(gè)不期望諧波的低通濾波器,和邊帶噪音的帶通濾波器。噪音帶寬限制在低于100Hz。所有更高的諧波實(shí)際上為4MHz的基本振蕩頻率的第三
和晶體管串聯(lián)的C1可用來調(diào)整振蕩器的輸出頻率。頻率可以在20pF到0.01μF的范圍內(nèi)變化,或者用作調(diào)整電容器,并且與晶體管負(fù)載電容近乎相等。X的值是一個(gè)近似值,可以為了大多數(shù)電路和頻率改變。