一.電鍍工藝的分類:酸性光亮銅電鍍電鍍鎳/金電鍍錫二.工藝流程:浸酸→全板電鍍銅→圖形轉(zhuǎn)移→酸性除油→二級逆流漂洗→微蝕→二級→浸酸→鍍錫→二級逆流漂洗逆流漂洗→浸酸→圖形電鍍銅→二級逆流漂洗→鍍鎳→二
3)Rel Prop Delay 項(xiàng),如圖 5-5 所示。圖5-5 設(shè)置 Rel Prop Delay值對于一些有相對延時要求的網(wǎng)絡(luò),可以在該處設(shè)置相對延時值。 35、 Rule Name:相對延時網(wǎng)絡(luò)的規(guī)則名,具有相同規(guī)則命名的網(wǎng)絡(luò)為同一組相對延時網(wǎng)
美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布該公司的PowerWise®高能效芯片系列添加兩款低功率低電壓差分信號傳輸(LVDS)2x2交叉點(diǎn)開關(guān)電路。型號為DS25CP102的交叉點(diǎn)開關(guān)電路通道的功耗
楷登電子(美國 Cadence公司)近日推出Cadence® Tensilica® DNA100處理器IP,首款深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器(DNA)AI處理器IP,無論小至0.5 還是大到數(shù)百TeraMAC(TMAC),均可實(shí)現(xiàn)高性能和高能效。
(1)從封裝效率進(jìn)行比較。DIP最低(約2%~7%),QFP次之(可達(dá)10%~30%),BGA和PGA的效率較高(約為20%~80%),CSP最高(可于70%~85%)。(2)從封裝厚度進(jìn)行比較。PQFP和PDIP封裝厚度為3.6 mm~2.0mm,TQFP和TSOP可減小到