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  • BMS AFE芯片技術(shù)的門檻有多高？

    新能源技術(shù)在快速發(fā)展，而電池作為能量存儲和轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，在電動汽車(EV)、移動設(shè)備、儲能系統(tǒng)等多個領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

  • 量子計算控制板設(shè)計：超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制

    量子計算作為未來計算技術(shù)的關(guān)鍵發(fā)展方向，具有巨大的潛力。超導(dǎo)量子芯片是量子計算的核心硬件之一，而量子計算控制板則是實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)量子芯片精準(zhǔn)操控的關(guān)鍵。在超低溫環(huán)境下，超導(dǎo)芯片與控制板之間的互連面臨著低溫變形和微波串?dāng)_兩大挑戰(zhàn)。低溫變形可能導(dǎo)致互連結(jié)構(gòu)的物理特性發(fā)生變化，影響信號傳輸質(zhì)量；微波串?dāng)_則會干擾量子比特的精確控制，降低量子計算的準(zhǔn)確性。因此，研究超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制技術(shù)對于量子計算控制板的設(shè)計至關(guān)重要。

  • 深空探測器PCB抗輻照設(shè)計：屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯布局

    深空探測任務(wù)是人類探索宇宙奧秘、拓展認(rèn)知邊界的重要途徑。然而，深空環(huán)境充滿了高能粒子輻射，如質(zhì)子、重離子等，這些輻射會對探測器中的電子系統(tǒng)，尤其是印刷電路板（PCB）造成嚴(yán)重影響。高能粒子可能引發(fā)單粒子效應(yīng)（SEE），導(dǎo)致電路邏輯錯誤、數(shù)據(jù)丟失甚至器件損壞。因此，開展深空探測器PCB抗輻照設(shè)計，通過屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯布局，對于保障探測器的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。

  • PCB數(shù)字孿生構(gòu)建：DFM規(guī)則引擎與實(shí)時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法

    在當(dāng)今電子產(chǎn)品向小型化、高性能化方向快速發(fā)展的背景下，印刷電路板（PCB）的設(shè)計與制造面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。PCB數(shù)字孿生技術(shù)作為一種新興的智能制造技術(shù)，通過構(gòu)建虛擬的PCB模型，實(shí)現(xiàn)對實(shí)際生產(chǎn)過程的實(shí)時監(jiān)控、預(yù)測和優(yōu)化。可制造性設(shè)計（DFM）規(guī)則引擎能夠根據(jù)PCB設(shè)計規(guī)范和制造工藝要求，對設(shè)計進(jìn)行自動檢查和優(yōu)化。而實(shí)時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法則是將實(shí)際生產(chǎn)過程中的數(shù)據(jù)與數(shù)字孿生模型進(jìn)行關(guān)聯(lián)，使模型能夠準(zhǔn)確反映生產(chǎn)狀態(tài)。本文將深入探討PCB數(shù)字孿生構(gòu)建中DFM規(guī)則引擎與實(shí)時生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法。

  • 電磁兼容正向設(shè)計：近場輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析

    在電子設(shè)備日益小型化、集成化的今天，電磁兼容（EMC）問題愈發(fā)凸顯。電磁兼容正向設(shè)計旨在從產(chǎn)品設(shè)計初期就考慮電磁兼容性，通過合理的設(shè)計和優(yōu)化，減少電磁干擾（EMI）的產(chǎn)生和傳播，確保設(shè)備在復(fù)雜的電磁環(huán)境中能夠正常工作。近場輻射是電磁干擾的重要來源之一，而PCB（印制電路板）布局參數(shù)對近場輻射頻譜有著顯著的影響。本文將深入探討近場輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析，為電磁兼容正向設(shè)計提供理論依據(jù)和實(shí)踐指導(dǎo)。

  • 112G+通道去嵌誤差抑制：多端口TRL校準(zhǔn)與頻變損耗補(bǔ)償模型

    在高速數(shù)字通信領(lǐng)域，112G及以上速率的通道傳輸技術(shù)正逐漸成為主流。然而，隨著數(shù)據(jù)速率的提升，信號在傳輸過程中受到的干擾和損耗也愈發(fā)嚴(yán)重。通道去嵌誤差是影響高速信號完整性的關(guān)鍵因素之一，它會導(dǎo)致信號失真、眼圖惡化，進(jìn)而降低通信系統(tǒng)的性能。多端口TRL（Thru-Reflect-Line）校準(zhǔn)技術(shù)和頻變損耗補(bǔ)償模型為抑制112G+通道去嵌誤差提供了有效的解決方案。

  • 大電流熱仿真進(jìn)階：過孔陣列電流密度分布與焦耳熱耦合建模 引言

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中，隨著功率需求的不斷增加，大電流傳輸成為了一個關(guān)鍵問題。過孔作為PCB（印制電路板）中實(shí)現(xiàn)層間電氣連接的重要結(jié)構(gòu)，在大電流傳輸過程中起著至關(guān)重要的作用。然而，過孔在承載大電流時，會產(chǎn)生電流密度分布不均勻的現(xiàn)象，進(jìn)而引發(fā)焦耳熱效應(yīng)。過高的溫度不僅會影響過孔的電氣性能，還可能導(dǎo)致PCB的可靠性下降，甚至引發(fā)故障。因此，對過孔陣列的電流密度分布與焦耳熱進(jìn)行耦合建模和仿真分析，對于優(yōu)化PCB設(shè)計、提高系統(tǒng)可靠性具有重要意義。

  • 多相供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）諧振抑制：磁電混合去耦與反諧振峰消除算法

    在高性能電子系統(tǒng)中，多相供電網(wǎng)絡(luò)（Power Delivery Network，PDN）承擔(dān)著為芯片等關(guān)鍵負(fù)載提供穩(wěn)定、純凈電能的重要任務(wù)。然而，隨著芯片工作頻率的不斷提高和功耗的日益增大，PDN中不可避免地會出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。諧振會導(dǎo)致電壓波動、電磁干擾（EMI）增加等問題，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的性能和可靠性。磁電混合去耦技術(shù)和反諧振峰消除算法為解決PDN諧振問題提供了有效的途徑。

  • 導(dǎo)熱型覆銅板（TCCL）實(shí)測：1.5W/mK基板對BGA熱阻降低35%的案例分析

    在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能化發(fā)展的趨勢下，芯片的集成度越來越高，功率密度也顯著增大。球柵陣列封裝（BGA）作為一種常見的芯片封裝形式，在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量。如果不能及時有效地散熱，芯片的溫度會急劇升高，導(dǎo)致性能下降、壽命縮短甚至損壞。導(dǎo)熱型覆銅板（TCCL）作為電子電路中重要的導(dǎo)熱介質(zhì)，其導(dǎo)熱性能對BGA封裝的散熱效果起著關(guān)鍵作用。本文將通過實(shí)際測試案例，分析1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板對BGA熱阻的降低效果。

  • 高頻PTFE混壓板層間結(jié)合力提升：等離子體處理與低流動度半固化片應(yīng)用

    在高頻電子電路領(lǐng)域，PTFE（聚四氟乙烯）材料因其優(yōu)異的低介電常數(shù)和低損耗特性，被廣泛應(yīng)用于高頻印制電路板（PCB）的制造。然而，PTFE材料的表面能低、化學(xué)惰性強(qiáng)，導(dǎo)致其與銅箔及其他層壓材料之間的層間結(jié)合力較弱，這在一定程度上限制了高頻PTFE混壓板的性能和可靠性。為了解決這一問題，本文探討了等離子體處理和低流動度半固化片的應(yīng)用對高頻PTFE混壓板層間結(jié)合力的提升效果，并通過相關(guān)實(shí)驗和代碼模擬進(jìn)行驗證。

  • 超低損耗碳?xì)浠衔锊牧显u測：松下M6S vs 羅杰斯RO1200的Dk/Df頻變模型

    在高速高頻電子電路領(lǐng)域，材料的選擇對電路性能起著決定性作用。超低損耗碳?xì)浠衔锊牧弦蚱鋬?yōu)異的電氣性能，如低介電常數(shù)（Dk）和低損耗因子（Df），被廣泛應(yīng)用于微波、毫米波電路以及高速數(shù)字電路中。松下M6S和羅杰斯RO1200是兩款備受關(guān)注的超低損耗碳?xì)浠衔锊牧稀１疚膶⑸钊朐u測這兩款材料的Dk/Df頻變特性，建立頻變模型，并通過代碼進(jìn)行模擬分析，為電路設(shè)計者提供有價值的參考。

  • 3D打印金屬化通孔：納米銀燒結(jié)導(dǎo)電性與熱疲勞壽命＞5000次循環(huán)驗證

    在電子制造領(lǐng)域，3D打印技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為復(fù)雜結(jié)構(gòu)電子器件的制造帶來了新的可能性。3D打印金屬化通孔作為實(shí)現(xiàn)電子器件層間電氣連接的關(guān)鍵技術(shù)，其導(dǎo)電性和熱疲勞壽命直接影響著器件的性能和可靠性。納米銀燒結(jié)技術(shù)因其優(yōu)異的導(dǎo)電性能和良好的熱穩(wěn)定性，成為3D打印金屬化通孔的理想材料選擇。本文將探討納米銀燒結(jié)在3D打印金屬化通孔中的應(yīng)用，并通過實(shí)驗驗證其導(dǎo)電性和熱疲勞壽命＞5000次循環(huán)。

  • 半導(dǎo)體封裝基板（Substrate）銅面粗糙度控制：電鍍添加劑與脈沖反鍍優(yōu)化

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，封裝基板作為芯片與外部電路連接的關(guān)鍵橋梁，其性能和質(zhì)量直接影響著整個半導(dǎo)體器件的可靠性和性能。銅面粗糙度是封裝基板的重要質(zhì)量指標(biāo)之一，過高的銅面粗糙度會導(dǎo)致信號傳輸損耗增加、阻抗不匹配、可靠性降低等問題。因此，有效控制半導(dǎo)體封裝基板銅面粗糙度至關(guān)重要。電鍍添加劑和脈沖反鍍技術(shù)作為控制銅面粗糙度的關(guān)鍵手段，近年來受到了廣泛關(guān)注。

  • 太赫茲波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)：D波段微帶線 - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的S11＜ - 20dB實(shí)現(xiàn) 引言

    太赫茲（THz）波位于微波與紅外光之間，具有獨(dú)特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、無損檢測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在太赫茲系統(tǒng)中，波導(dǎo)作為重要的傳輸元件，需要與微帶線等平面電路進(jìn)行高效連接。D波段（110 - 170GHz）作為太赫茲頻段的重要子頻段，其微帶線 - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的設(shè)計至關(guān)重要。S11參數(shù)（反射系數(shù)）是衡量轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，S11＜ - 20dB意味著大部分能量被有效傳輸，反射能量極小，這對于保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。

  • 毫米波AiP天線集成：LTCC轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的多物理場耦合設(shè)計

    隨著5G及未來6G通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，毫米波頻段因其豐富的頻譜資源成為實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵。天線集成封裝（AiP，Antenna in Package）技術(shù)將天線與射頻前端集成于一體，有效減小了系統(tǒng)體積，提高了集成度。在毫米波AiP天線集成中，低溫共燒陶瓷（LTCC）轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的結(jié)合應(yīng)用日益廣泛。然而，由于毫米波頻段的高頻特性，電磁場、熱場、應(yīng)力場等多物理場之間的耦合效應(yīng)顯著，對天線性能和系統(tǒng)可靠性產(chǎn)生重要影響。因此，開展LTCC轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的多物理場耦合設(shè)計具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

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