21ic訊 GLOBALFOUNDRIES和 ARM日前宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設計提供優(yōu)化的系統(tǒng)級芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進一步拓展雙方長期合作關系，并將合作領域擴展到在移動設備中重要性逐漸提高的圖像處理器元件。作為協(xié)議的一部分，ARM 將開發(fā)一個包括標準單元、邏輯電路、內存編譯器和 處理器優(yōu)化包(POP™) IP 解決方案在內的ARM® Artisan® 物理 IP 的完整平臺。此次合作將有助于將包括智能手機、平板電腦和超薄筆記本在內的一系列移動應用的系統(tǒng)性能和電源效率提升到一個新的水平。

在共同優(yōu)化 ARM® Cortex™-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經積累了多年合作經驗。其中不僅包括28納米工藝上已經在性能與功效方面所展現(xiàn)的多項優(yōu)勢，也包括美國紐約州馬爾他鎮(zhèn)的晶圓廠中正在生產的 20 納米測試芯片。通過推動制造IP平臺的創(chuàng)新，新的協(xié)議進一步延續(xù)了此前的合作，從而令客戶能夠在20納米工藝平臺上進行設計，有助于客戶迅速轉移至三維 FinFET 晶體管技術。對于ARM 下一代移動 CPU 和 GPU的用戶而言，這項共同開發(fā)則可加快SoC解決方案的上市時間。

GLOBALFOUNDRIES將為下一代高能效 ARM Cortex™ 處理器和 Mali™ GPU 技術開發(fā)優(yōu)化實施和基準分析，加快客戶使用相應技術進行SoC設計的速度。GLOBALFOUNDRIES 20納米LPM、FinFET制成、POP IP 封裝的ARM Artisan實體IP完整平臺為SoC設計者提供一個基本建造架構。該平臺基于現(xiàn)有的Artisan 物理 IP 平臺，適用于GLOBALFOUNDRIES的多個工藝，包括 65 納米、55 納米、28 納米、以及目前可供授權的28 納米 SLP Cortex-A9 POP技術。
ARM 執(zhí)行副總裁兼處理器及物理 IP 部門總經理 Simon Segars 表示：“這次的初步合作促進了ARM 和GLOBALFOUNDRIES的技術在針對未來多個重要市場的SoC中的快速采用。同時，為手機、平板電腦和計算應用提供設計服務的客戶也將由于此次合作中的高能效 ARM 處理器和圖形處理器而獲益匪淺。通過在下一代 20納米LPM與FinFET工藝方面的積極合作，我們能夠確保為雙方的共同客戶提供一系列的實施選項，將先進半導體裝置的發(fā)展往前推進兩個世代。”

ARM POP 技術提供市場領先的性能、功耗和面積，加快了 ARM Cortex-A 系列 CPU 的內核強化。POP IP 封裝由三部分組成，它們是ARM內核優(yōu)化實施的關鍵。首先，它涵蓋了Artisan 物理 IP 標準單元、邏輯電路以及專門針對特定 ARM 處理器和晶圓廠技術進行調整的內存緩存實例。其次，還同時提供全面的基準測試報告，用于記錄 ARM 在涵蓋了一系列配置和設計目標的內核實施中所需要的精確條件和最終結果。最后，該封裝還包括了平面布局、腳本、設計工具和 POP 實施指南在內的實施細則，具體說明了可供最終客戶以極低的風險快速實現(xiàn)相似結果的實施方法。

GLOBALFOUNDRIES 的20 納米 LPM 技術是一個全面的經濟高效型平臺，可提供最高 40% 的性能提升和兩倍于28 納米芯片的門密度。由于 20 納米 LPM技術可以實現(xiàn)一系列晶體管功能，它將用于滿足大容量細分市場中大范圍的功耗和性能點。通過將晶體管和金屬間距完全按比例縮小，所得到的 20 納米 LPM 器件將在成本和面積方面具有很大的競爭優(yōu)勢，符合下一代設備的需求。

此次合作還拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于 FinFET 的工藝。通過早期的預先準備，雙方將共同優(yōu)化物理 IP 和工藝，以確保從 20 納米 LPM 的快速遷移。因此，此次合作將以前所未有的速度和更低的風險提供一系列實施方案。

GLOBALFOUNDRIES全球銷售與市場的高級副總裁Mike Noonen表示：“ARM技術已整合至全球許多產量最高的產品之中。相信在今后數(shù)年內，對于GLOBALFOUNDRIES客戶來說，其重要性都只會不斷提高。藉由我們的實施知識并將其應用于下一代高能效 ARM 處理器和圖形處理器，我們相信雙方可以攜手為彼此的共同客戶提供顯著的差異化優(yōu)勢，繼續(xù)引領下下兩代產品的創(chuàng)新。”