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[導讀]如今,高速光模塊出貨量越來越大,光模塊也逐漸引起了人們的注意。現(xiàn)代社會,光模塊的處境,正應了那首古詩:”莫愁前路無知己,天下誰人不識君。“今天小編就通

如今,高速光模塊出貨量越來越大,光模塊也逐漸引起了人們的注意?,F(xiàn)代社會,光模塊的處境,正應了那首古詩:”莫愁前路無知己,天下誰人不識君。“今天小編就通過這篇文章,讓大家短時間內(nèi)認識光模塊長什么樣?

一、光模塊的類型

目前,100G以上光模塊的主流封裝形式有CFP、CFP2、SFP、SFP+、QSFP28、QSFP-DD等,從下圖4種封裝形式對比可以看出之間的一些相同與差異。

 

 

CFP模塊與眾不同之處在于外形尺寸最大,解鎖及鎖緊機構(gòu)由兩側(cè)的螺桿實現(xiàn),靠近光口側(cè)模塊外圍有一圈EMI彈片。

CFP2的體積是CFP的1/2,它與CFP相似之處在于PCB上都設(shè)置了一個專用連接器,由于該連接器的特性決定CFP最高支持10x10G速率,CFP2最高支持4x25G和8x25G速率。

QSFP28和QSFP-DD都是由QSFP+協(xié)議演進而來,兩者的結(jié)構(gòu)可以說基本相同,外形上有相同的寬度和厚度,解鎖機構(gòu)也是完全相同。

QSFP28支持4x25G速率,QSFP-DD支持8x25G速率,所以兩者的結(jié)構(gòu)唯一差異之處就在電口的設(shè)計,QSFP-DD的電口金手指數(shù)量比QSFP28增加1倍。

二、光模塊的構(gòu)造

一般情況下,光模塊外殼結(jié)構(gòu)組成三部分:

底殼

上蓋

解鎖機構(gòu)

雖然光模塊外形近乎每個尺寸在MSA協(xié)議里都有明確要求,但是具體的結(jié)構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)仍然有很多講究。

底殼和上蓋一般是用螺釘裝配在一起,考慮到上蓋的剛度,上蓋和底殼的厚度盡量接近。

如果上蓋太單薄的話,模塊內(nèi)部被壓縮的導熱墊應力會導致上蓋變形,從而使裝配后的模塊厚度尺寸超差,同時上蓋和底殼之間也會產(chǎn)生縫隙使電磁波泄露,導致模塊EMI屏蔽失效。

 

 

MSA協(xié)議對解鎖機構(gòu)的拉手部分限制較小,拉手在工業(yè)設(shè)計上有足夠的空間去發(fā)揮。自然地拉手就成了表達產(chǎn)品特色和公司形象的一張面孔,讓客戶對公司光模塊的認識從拉手開始。

三、光模塊的設(shè)計重點

主要分散熱設(shè)計和EMI屏蔽設(shè)計兩部分。

散熱,很好理解,就像為某為發(fā)燒而生的手機,天氣一熱就燙手,就是它的散熱設(shè)計太差。

熱量的傳遞有導熱,對流換熱及輻射換熱三種方式。光模塊的散熱設(shè)計可以說主要研究的就是導熱。那么如何做好光模塊散熱設(shè)計呢?搬出Fourier導熱定律公式研究一番,就知道怎么去做了。

Q=λA(Th-Tc)/δ

其中:λ為材料的導熱系數(shù),單位為W/(m*℃),表示了該材料導熱能力的大小;

A為與熱量傳遞方向垂直的面積,單位為m2;

δ為兩個面之間的距離,單位為m;

Th與Tc分別為高溫與低溫面的溫度,單位為℃。

從上面的公式得知,要提高熱流量Q,需要從三個方面著手,提高材料的導熱系數(shù)λ,增加熱量傳遞的截面積A,減小高低溫面之間的距離δ。

要做好光模塊散熱設(shè)計是一件極其復雜的事情。

通常情況下發(fā)熱器件盡量布置在模塊的TOP面,使熱量優(yōu)選傳遞到主散熱面;

對于多個發(fā)熱器件,盡量分散布置,使得模塊表面熱耗均勻,更有利于散熱;

熱敏感器件布置盡量遠離高溫發(fā)熱器件,例如硅光芯片的布置就要遠離DSP、Driver等發(fā)熱高的器件;

對于發(fā)熱高的器件不得不布置在BOTTOM面時,就要采用跨空間散熱技術(shù),目前人工石墨導熱材料是不錯的選擇,該材料不僅有高達1500 W/m*k的導熱系數(shù)(水平方向),而且可以彎曲折疊。

 

 

光模塊散熱設(shè)計需要熱仿真配合來完成,通過仿真分析來檢驗熱設(shè)計是否滿足要求,并指導熱設(shè)計優(yōu)化方向。這樣的工作往往需要多次迭代才能最終確定散熱設(shè)計方案。

電磁兼容性EMC(Electro Magnetic Compatibility),是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。

形成電磁干擾必須同時具備三個因素:

電磁騷擾源

耦合路徑

敏感設(shè)備

針對以上三個因素,有多種途徑可以抑制電磁干擾的影響,而從光模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計的角度出發(fā),采用電磁屏蔽的方法來切斷電磁騷擾的耦合路徑,是改善其電磁兼容性能的關(guān)鍵而行之有效的技術(shù)手段之一。

影響屏蔽體的屏蔽效能有兩個因素:

整個屏蔽體表面必須是導電連續(xù)的

屏蔽體上有很多導電不連續(xù)點,最主要的一類是屏蔽體不同部分結(jié)合處形成的不導電縫隙。

這些不導電的縫隙就產(chǎn)生了電磁泄漏,如同流體會從容器上的縫隙上泄漏一樣。解決這種泄漏的一個方法是在縫隙處填充導電彈性材料,消除不導電點。這就像在流體容器的縫隙處填充橡膠的道理一樣。

對于縫隙的處理,還有一種辦法就是在設(shè)計上刻意增加縫隙的深度和形狀,目的就是讓電磁在縫隙里多次反射而衰減。

不能有直接穿透屏蔽體的導體

光模塊的PCB金手指是裸露在外的,也就是有導體穿透了屏蔽體。

實際上對于EMC,光模塊并不是孤立去考量的,而是將光模塊插入終端設(shè)備整體來測試和評估的。光模塊插入終端設(shè)備的CAGE里面,CAGE和設(shè)備本身進一步對電磁進行屏蔽和接地處理。

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