繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后,三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米),今年第3季度將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)了解,40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相比,芯片面積更小,同時(shí)可以在低電低壓的環(huán)境下運(yùn)行。1.2V環(huán)境下運(yùn)行的40納米內(nèi)存能夠比50納米1.5V內(nèi)存減耗30%以上,從而為服務(wù)器等高耗能設(shè)備提供更加環(huán)保高效的能源解決方案。
三星電子還透露,在2009年還將實(shí)現(xiàn)40納米2GDDR3的開發(fā)和量產(chǎn),該產(chǎn)品將比去年9月量產(chǎn)的50納米2GDDR3生產(chǎn)效率提高約60%。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,目前三星正在研發(fā)一種智能戒指,佩戴后可以監(jiān)測(cè)使用者的活動(dòng)健康數(shù)據(jù),因?yàn)檩p便續(xù)航高且可長時(shí)間佩戴等優(yōu)點(diǎn),不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為其會(huì)取代智能手環(huán)和手表。
關(guān)鍵字: 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。
關(guān)鍵字: 專利侵權(quán) 三星 臺(tái)積電 高通公司 337調(diào)查 USITC