繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后，三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米)，今年第3季度將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)了解，40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相比，芯片面積更小，同時(shí)可以在低電低壓的環(huán)境下運(yùn)行。1.2V環(huán)境下運(yùn)行的40納米內(nèi)存能夠比50納米1.5V內(nèi)存減耗30%以上，從而為服務(wù)器等高耗能設(shè)備提供更加環(huán)保高效的能源解決方案。

三星電子還透露，在2009年還將實(shí)現(xiàn)40納米2GDDR3的開發(fā)和量產(chǎn)，該產(chǎn)品將比去年9月量產(chǎn)的50納米2GDDR3生產(chǎn)效率提高約60%。