為滿足電子產(chǎn)品消費性市場「短小輕薄」與「功能多樣化」及電子產(chǎn)品制造商「降低成本」的需求，最上游端半導體供貨商除靠制程微縮來達成此目標外，「異質(zhì)整合」也是達成上述目標的重要芯片研發(fā)方向之一。

半導體「異質(zhì)整合」技術是以將數(shù)字電路、模擬電路、混合訊號或射頻電路各種不同功能與類別的組件設計整合在單一芯片上的系統(tǒng)單芯片(SystemonChip；SoC)為主流。另外，透過封裝技術將芯片堆棧于同一顆IC中的系統(tǒng)級封裝(SysteminPackage；SiP)則是另一種異質(zhì)整合3DIC技術。

然而，SoC設計難度太高、設計時間及設計成本相對偏高，無法達到實時上市(TimetoMarket)要求。SiP則靠導線來傳輸堆棧芯片間的訊號，若堆棧芯片層數(shù)較多時，連接上層芯片導線就必須拉長，增加傳輸路徑長度，因此傳輸速度較慢，也較SoC耗電。也因此，以提升效能為訴求同時符合容量倍增與異質(zhì)整合等需求的硅穿孔(ThroughSiliconVia；TSV)3DIC技術也就應運而生。

所謂TSV3DIC技術系在晶圓上以刻蝕或雷射的方式鉆孔，再將如銅、多晶硅、鎢等導電材料填入鉆孔中，進而形成導電通道，接著再經(jīng)過晶?‵洶L程后，最后再將薄型化的晶圓或晶粒堆棧、結(jié)合而成為3DIC。

TSV技術的訊號是透過鉆孔后導電通道進行傳輸，因此，連接路徑較SoC、SiP更短，使得上下層芯片間傳輸速度更快、噪聲更小，使得芯片效能獲得有效提升。

然而，TVS制程技術貫穿晶圓代工與封裝測試領域，具有垂直整合與一貫化生產(chǎn)特性的整合組件廠(IDM)較具備競爭優(yōu)勢。雖然臺灣半導體產(chǎn)業(yè)從IC設計、晶圓代工，到下游端封裝測試，擁有非常成熟且完整的產(chǎn)業(yè)鏈，但單就半導體制造端來看，需要晶圓代工業(yè)者與封裝測試業(yè)者更加緊密結(jié)合，才能具備生產(chǎn)競爭力與成本優(yōu)勢。

事實上，包括IBM、英特爾(Intel)、意法(STM)、NXP、美光(Micron)、爾必達(Elpida)、Sony、NEC、Renesas、三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)等國際級整合組件廠投入TSV研發(fā)確實相當積極，多數(shù)整合組件廠在2009年都已進入小量試產(chǎn)階段，預計到2010年TSV3DIC將正式進入量產(chǎn)階段。至于臺灣半導體業(yè)者中，臺積電要到2010年才會導入TSV3DIC技術，而DRAM廠商南亞科技則要到2012年才有機會導入生產(chǎn)。

然而，自2007年第4季二房危機所引發(fā)?嵽?y金融海嘯以來，包括意法、NXP、美光、爾必達、Renesas、海力士等IDM都遭遇嚴重虧損，在關廠、裁員、縮減資本支出與研發(fā)費用等措施運作下，資產(chǎn)輕量化并擴大委外代工亦成為降低成本必然策略。

在此經(jīng)濟背景下，衍生出兩個重大方向。其一、正因為多數(shù)IDM遭遇嚴重虧損，財務結(jié)構(gòu)大幅惡化，手中現(xiàn)金有限，也將不得不放緩3DIC研發(fā)腳步。目前仍有充裕財力可以投入3DIC研發(fā)的整合組件廠商只有IBM、英特爾及三星，而這3家整合組件廠將成為臺灣半導體廠商進入3DIC市場最主要競爭者。