Intel信息技術(shù)峰會(huì)，美國(guó)舊金山——2009秋季Intel信息技術(shù)峰會(huì)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。下面是來(lái)自Intel的高級(jí)副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bob Baker的講話，作為第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點(diǎn)，他的話語(yǔ)一經(jīng)發(fā)表就在廣大技術(shù)愛好者中引起了強(qiáng)烈的反響。

演講主題：“引領(lǐng)硅技術(shù)創(chuàng)新”（Silicon Leadership – Delivering Innovation）

• 全球第一個(gè)可工作的22納米測(cè)試電路：Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律，讓最終用戶受益。 Intel公司發(fā)布了半導(dǎo)體制程技術(shù)中的又一個(gè)新突破，在單個(gè)芯片上整合更多的特性和更高的性能。這就是關(guān)于全球第一個(gè)可工作的22納米測(cè)試電路的演示。兩年前Intel展示了基于前一代32納米技術(shù)可工作的測(cè)試電路，而本次峰會(huì)則標(biāo)志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。最新發(fā)布的22納米技術(shù)證明了摩爾定律將繼續(xù)有效，并引領(lǐng)我們前進(jìn)。

• 高k金屬柵極技術(shù)風(fēng)靡世界，出貨量超過2億顆：Intel從2007年第4季度開始出貨采用高k金屬柵極晶體管的CPU，目前仍是唯一一家具備此能力的公司。目前，采用高k金屬柵極晶體管的45納米CPU出貨量已將超過2億顆。Intel的32納米CPU制程技術(shù)已經(jīng)通過認(rèn)證，而Westmere CPU晶圓已經(jīng)進(jìn)入工廠生產(chǎn)線，計(jì)劃于第四季度向市場(chǎng)推出。Intel的32納米技術(shù)采用第二代高k金屬柵極晶體管，提高了性能并減少了漏電。

• 研發(fā)新動(dòng)向 – 麻省理工學(xué)院的特邀嘉賓：Jesus Del Alamo教授來(lái)自麻省理工學(xué)院電氣工程系，他在本次峰會(huì)上探討了化合物半導(dǎo)體的前景，特別是用于未來(lái)邏輯制程的所謂III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶體管速度，遠(yuǎn)超過目前的硅晶體管，而工作電壓只有目前的一半（具有大幅降低能耗的潛力）。雖然因面臨重大挑戰(zhàn)而稍顯謹(jǐn)慎，但他注意到，全球越來(lái)越多的人在解決這些問題，并且已經(jīng)取得了很快的進(jìn)展。

• 面向片上系統(tǒng)（SoC）的32納米技術(shù)：Intel首次開發(fā)了全功能的SoC制程技術(shù)，以作為CPU專用技術(shù)的補(bǔ)充。該版本為手機(jī)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（MID）和嵌入式產(chǎn)品等應(yīng)用提供了一系列豐富的功能；它還提供這些市場(chǎng)所需的更廣泛的性能與能耗選擇。

• 優(yōu)化NAND平臺(tái)：IntelSSD固態(tài)硬盤在現(xiàn)有的平臺(tái)和軟件上具有強(qiáng)大的性能。Intel高級(jí)院士兼Intel存儲(chǔ)技術(shù)部門總監(jiān)Rick Coulson跟大家探討了Intel在未來(lái)固態(tài)硬盤改進(jìn)以及SSD和平臺(tái)的共同優(yōu)化上的研究方向，力圖在更低成本、更低功耗的基礎(chǔ)上達(dá)到更好的性能。

• 制造能力：Intel已經(jīng)大幅改進(jìn)了供應(yīng)鏈，能夠積極、快速地響應(yīng)客戶變更訂單的請(qǐng)求——響應(yīng)速度提高了300%。制造周期減少了62%。僅僅在過去的12個(gè)月內(nèi)，從客戶下訂單到交貨的時(shí)間縮短了25%。