瑞薩科技就半導體芯片溫度的推測方法發(fā)表了演講。目前，在普遍使用的基于JEDEC環(huán)境的推測方法中，芯片溫度估計過高的情況非常多。以上內容是瑞薩科技生產總部技術開發(fā)總部系統(tǒng)封裝設計部的中村篤在2009年9月4日于日本東京品川區(qū)召開的“EDA Tech Forum 2009（EDA技術論壇2009）”上發(fā)表的。

設備廠商等設計電路底板時，需要推斷半導體芯片的溫度，以便抑制芯片溫度上升，采取散熱措施。中村指出，“許多人誤以為根據(jù)JEDEC環(huán)境的θja通過簡單計算便可推斷出芯片溫度”。JEDEC環(huán)境的θja是用芯片功耗除以芯片溫度和周圍溫度之差得到的值，也就是芯片通過封裝向周圍傳遞的熱量的熱阻(Thermal Resistance) ，機身和底板的外部尺寸等測量環(huán)境以及測量方法均根據(jù)JEDEC標準參數(shù)。半導體廠商有時會公開JEDEC環(huán)境的熱阻，因此可輕松獲得。

與實際情況的差異是問題所在

不過，θja原本是評測封裝散熱性能的數(shù)值，因此如果采用實際電子設備的話，假設就會有很大不同。中村以車載ECU（電子控制單元）為實例，把通過流體解析仿真（Simulation）獲得的芯片溫度值與采用JEDEC環(huán)境的θja計算出的芯片溫度值進行了比較。對比達到一定溫度的功耗時，根據(jù)JEDEC環(huán)境的θja與機身內部溫度進行計算時，比根據(jù)流體解析獲得的數(shù)值少了28％。另一方面，根據(jù)JEDEC環(huán)境的θja和機身外部溫度進行計算時，比根據(jù)流體解析獲得的數(shù)值高出了57％。

此前一般認為，“考慮到安全因素，高估芯片溫度的話，可避免出現(xiàn)故障，不會產生什么問題”。不過，最近對準確估計芯片溫度的要求越來越高。因為如果高估芯片溫度的話，就會導致配備散熱片（Heat Sink）等多余的冷卻功能，從而導致成本增加、尺寸難以減小。

使用Ψjt以代替θja

中村認為，要想求出芯片溫度，就應該使用從芯片向封裝表面?zhèn)鳠釙r的熱參數(shù)Ψjt。Ψjt與θja一樣都是在JEDEC標準環(huán)境下被定義的，半導體廠商有時會將其公開。Ψjt的特點是雖然它是芯片和封裝表面之間實際熱阻的標準值，但還考慮到了用于推斷芯片溫度以及經由底板的傳熱路徑。中村表示，雖然帶有不對封裝表面采取散熱措施的條件，但可推斷出誤差較小的芯片溫度。在上述ECU實例中，通過Ψjt得出的芯片溫度與通過流體解析得出的結果基本相同。

中村帶有自我批評的意味指出，此前半導體廠商對于公開Ψjt并不太積極。因為太麻煩。因此，此次中村開發(fā)出了能夠以低成本求出Ψjt的方法，并呼吁半導體廠商采用。中村推薦的方法是對多個結構相同的封裝進行三維流體解析，從而可輕松求出結構相同而尺寸各異的封裝的Ψjt。由此可降低Ψjt開發(fā)的總成本。半導體廠商如果采用這種方法，即便所有封裝均不進行流體解析，也能夠以低成本向用戶提供Ψjt。

這種方法的具體步驟如下。首先，采用三維流體解析仿真，求出表示封裝向周圍傳熱時的熱阻與封裝外形尺寸關系的近似公式。在推算和使用近似公式時，需要知道芯片向封裝傳熱時的熱阻，而如果采用制作半導體封裝部件熱解析模型的工具，例如美國明導科技（Mentor Graphics）的“FloTHERM.PACK”等，便可輕松獲得。向近似公式中代入熱阻等數(shù)值后便可求出尺寸各異的封裝的Ψjt，。中村表示，通過這種方法計算出的BGA封裝的Ψjt值與采用三維流體解析求出的數(shù)值相比，在±5％以內是一致的。

通過虛擬驗證發(fā)現(xiàn)故障

中村結束演講后，緊接著日本日置電機技術總部開發(fā)支援課設計支援小組協(xié)調員（Coordinator）水出博司上臺發(fā)表了演講。水出以“CAE Based Design ～前期工作（Front Loading）實錄～”為題，以該公司產品為例就通過虛擬驗證發(fā)現(xiàn)故障的重要性發(fā)表了演講。

該公司的記錄儀“Memory Hi Corder 8860”是以高性能而著稱的產品，不過密集封裝的設計和連接器未連接等制造失誤、以及由于使用不當造成排氣口堵塞等主要因素疊加在一起，就會出現(xiàn)內部樹脂因熱變形等故障。“即使責備制造失誤和用戶的使用方法不當也無濟于事。有效利用CAE設想到各種故障、開發(fā)出堅固的產品才能提高產品價值”