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[導(dǎo)讀]趁著DRAM價格直線飆漲之際,全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn),新制程與過去相較最大的不同,就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤式微影(immersion lithography)及銅制程導(dǎo)線(copper interconnect)等兩大新技術(shù)。 由于技

趁著DRAM價格直線飆漲之際,全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn),新制程與過去相較最大的不同,就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤式微影(immersion lithography)及銅制程導(dǎo)線(copper interconnect)等兩大新技術(shù)。
由于技術(shù)世代交替,后段封測技術(shù)也跟著轉(zhuǎn)換,過去占DRAM成本低于10%的封測制程,在50奈米世代將提升到15%至20%,如力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)等封測廠角色將更為吃重。
高階邏輯芯片市場今年出現(xiàn)65/55奈米制程世代交替風(fēng)潮,封測制程同步轉(zhuǎn)換,帶動了芯片尺寸覆晶基板(FCCSP)市場正式起飛,景 碩、欣興、全懋等基板廠業(yè)績大好,也因此讓封測成本占芯片總成本的比重,由過去的低于20%一下子大幅拉高到30%。而此一現(xiàn)象如今也發(fā)生在DRAM產(chǎn) 業(yè),主要原因就是DRAM廠制程將改用全新技術(shù),才有辦法走到50奈米以下。
50奈米之所以成為DRAM廠最大的挑戰(zhàn),一是微影技術(shù)將改為浸潤式制程,二是要將過去使用的鋁制程導(dǎo)線改成低介電(low-k)銅制程 導(dǎo)線,這些都是過去20年DRAM廠沒用過的新技術(shù),也因此,現(xiàn)在12吋晶圓廠中幾乎有逾半設(shè)備都要進(jìn)行更換,除了需要大筆資金投入,也必需要求后段封測 廠配合。
過去幾年70奈米及60奈米DRAM制程十分成熟,單顆芯片封測成本約0.3美元左右,但改成50奈米銅制程后,新一世代DDR3芯片植 球數(shù)又增加至78球或96球,所以封測成本一下子就拉高到0.45至0.5美元。以50奈米投產(chǎn)1Gb DDR3的總成本約2美元來算,封測成本占DRAM成本比重,已由過去10%以下,一下子拉高到15%至20%。
封測成本拉高,也有機會推動國際大廠擴(kuò)大委外代工。目前只有爾必達(dá)將封測業(yè)務(wù)全數(shù)委外代工,海力士則僅釋出部份代工訂單,三星美光都是 在自有封測廠中完成制造,但因過去2年之中,三星及美光并沒有升級自有設(shè)備,所以未來委外代工機會大增,據(jù)業(yè)者推估,福懋科最有機會承接美光后段封測訂 單,力成則有機會成為三星后段代工廠。



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