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DRAM廠資本支出競(jìng)賽三星更勝臺(tái)廠一籌

時(shí)間：2009-12-07 11:51:33

關(guān)鍵字： DRAM 三星存儲(chǔ)器 ELECTRONICS

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[導(dǎo)讀]臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上，臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子

臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上，臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子(SamsungElectronics)2010年在存儲(chǔ)器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺(tái)系4家DRAM廠合計(jì)資本支出仍遠(yuǎn)落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺(tái)DRAM廠既有市占率。

三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系廠受傷慘重，三星不但保持獲利，2010年更擴(kuò)大資本支出，估計(jì)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域至少投入30億美元，其中，多數(shù)將用于擴(kuò)產(chǎn)DRAM，企圖一舉擴(kuò)大市占率。

存儲(chǔ)器業(yè)者指出，過去每次DRAM產(chǎn)業(yè)景氣循環(huán)，只要能在景氣最差時(shí)逆勢(shì)加碼投資擴(kuò)產(chǎn)的業(yè)者，未來通常會(huì)是最大贏家，但這一波DRAM海嘯吹走臺(tái)DRAM廠募資能力，三星在此時(shí)大舉加碼擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)競(jìng)局，贏家和輸家會(huì)更壁壘分明。

臺(tái)4家DRAM廠南亞科、華亞科、力晶和茂德等，2010年合計(jì)資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且部分資本支出規(guī)畫未必會(huì)達(dá)到，要看屆時(shí)籌資是否順利。其中，臺(tái)DRAM廠資本支出最高且籌資最順利的是臺(tái)塑集團(tuán)，旗下南亞科2010年資本支出上看190億元，主要用在50奈米制程，目前已展開機(jī)器設(shè)備添購(gòu)，由于南亞科2009年辦理3次籌資，包括私募、現(xiàn)金增資和銀行聯(lián)貸，募得430億元，為2010年資本支出暖身。

華亞科2010年資本支出最驚人，高達(dá)新臺(tái)幣450億元，由于旗下12寸晶圓廠產(chǎn)能達(dá)13萬片，直接轉(zhuǎn)至50奈米制程，因此，需要龐大資本支出。華亞科總經(jīng)理高啟全表示，已陸續(xù)添購(gòu)機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)2010年第1季末將導(dǎo)入50奈米制程，2010年中約30~40%產(chǎn)能轉(zhuǎn)至50奈米制程。

力晶與茂德2010年資本支出亦各有數(shù)10億元，其中，力晶若要轉(zhuǎn)至40奈米制程，資本支出沖至100億元恐難免，但目前仍保守估計(jì)只需花費(fèi)數(shù)10億元；至于茂德2010年開始為爾必達(dá)(Elpida)代工，與過去技術(shù)來源海力士(Hynix)的機(jī)器設(shè)備不同，因此，需要花費(fèi)50億~60億元添購(gòu)新設(shè)備。

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