[導讀]三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內存芯片。這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務器內存條或者8GBSO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內存芯片。
這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務器內存條或者8GBSO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35％，能為數(shù)據(jù)中心、服務器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。
三星指出，目前服務器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm1GbDDR2芯片，內存子系統(tǒng)功耗可達210W，換成40nm2GbDDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm4GbDDR3會進一步降至僅僅36W，也就是節(jié)能83％之多，相當于為每套服務器系統(tǒng)節(jié)約10％的功耗。
由于單顆芯片容量翻番，4GbDDR3芯片的量產(chǎn)也能大大推動單條32GB內存條的普及。
三星從去年七月開始引入40nm級別的DDRDRAM生產(chǎn)工藝，并計劃將該工藝的生產(chǎn)比例逐漸提高到90％以上。
這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務器內存條或者8GBSO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35％，能為數(shù)據(jù)中心、服務器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。
三星指出，目前服務器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm1GbDDR2芯片，內存子系統(tǒng)功耗可達210W，換成40nm2GbDDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm4GbDDR3會進一步降至僅僅36W，也就是節(jié)能83％之多，相當于為每套服務器系統(tǒng)節(jié)約10％的功耗。
由于單顆芯片容量翻番，4GbDDR3芯片的量產(chǎn)也能大大推動單條32GB內存條的普及。
三星從去年七月開始引入40nm級別的DDRDRAM生產(chǎn)工藝，并計劃將該工藝的生產(chǎn)比例逐漸提高到90％以上。
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關鍵字： 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指
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