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[導(dǎo)讀]前天武漢新芯正式啟動總投資達(dá)240億美元的存儲芯片項(xiàng)目,這意味著經(jīng)過一年多的規(guī)劃中國正式加入這一市場,力圖打造自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),改變對國外存儲芯片的依賴。

前天武漢新芯正式啟動總投資達(dá)240億美元的存儲芯片項(xiàng)目,這意味著經(jīng)過一年多的規(guī)劃中國正式加入這一市場,力圖打造自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),改變對國外存儲芯片的依賴。

中國成為全球最大存儲芯片采購國

中國的聯(lián)想是全球最大的PC企業(yè),中國的手機(jī)品牌華為、小米、聯(lián)想是全球前五大手機(jī)企業(yè),消耗了全球大量的存儲芯片。特別是中國的手機(jī)品牌成長快速,2015年的市場份額超過40%,今年的市場份額有望達(dá)到45%,這推動中國采購的存儲芯片份額將進(jìn)一步上升。

2014年中國采購了全球約兩成的存儲芯片,采購金額高達(dá)100億美元,2015年前十個月采購的存儲芯片金額已經(jīng)達(dá)到120億美元預(yù)計(jì)全年采購金額超過140億美元占全球存儲芯片市場的份額提升到約三成,不過目前中國主要依靠向國外采購存儲芯片。

中國制造正致力于在向高端制造業(yè)爬升,芯片居于制造業(yè)的上游是高端制造業(yè)的關(guān)鍵,因此中國在2014年成立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金推動國內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,并已在處理器、半導(dǎo)體制造方面投資了華為海思、紫光、中芯國際等企業(yè),存儲芯片產(chǎn)業(yè)則成為又一個備受關(guān)注的投資方向。

DRAM市場韓國獨(dú)大

據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2015年四季度三星、SK海力士和美光分別以46.4%、27.9%、18.9%的市場份額位居前三強(qiáng),共同占有全球DRAM市場份額超過九成的市場份額,而韓國企業(yè)三星和SK海力士更以近四分三的市場份額占據(jù)絕對優(yōu)勢的市場份額。而早期曾經(jīng)是DRAM市場一強(qiáng)的中國臺灣企業(yè)南亞科、華邦、力晶占有的市場份額僅剩下5.6|%的市場份額。

在工藝上韓國企業(yè)同樣占有優(yōu)勢,三星目前工藝領(lǐng)先,其早已轉(zhuǎn)入20nm工藝,目前其在這一工藝上良率優(yōu)于其他競爭對手,在總體產(chǎn)能比重中逐漸上升,其計(jì)劃今年中引入18nm工藝,進(jìn)一步降低其生產(chǎn)成本。

SK海力士去年8月其號稱全球最大的半導(dǎo)體工廠“M14”竣工,成為去年新增產(chǎn)能最多的DRAM企業(yè),去年四季度引入21nm工藝,這將有望進(jìn)一步提升其在DRAM市場的份額。

美光在去年四季度開始采用20nm工藝生產(chǎn)DRAM不過目前良率不如三星,預(yù)計(jì)今年會采用16nm工藝生產(chǎn)DRAM。最讓美光受鼓舞的是,Intel這個半導(dǎo)體巨頭回歸DRAM市場(其早年是DRAM市場一強(qiáng),后來被日本企業(yè)擊敗于是退出了這個市場)選擇與美光合資,這將有助于美光增強(qiáng)其與韓國企業(yè)的競爭實(shí)力。

中國改變對國外存儲芯片的依賴需要時間

武漢新芯成立于2006年,已建成12寸晶圓廠,早期曾由中國最大的半導(dǎo)體工廠中芯國際托管,到了2013年與中芯國際脫離關(guān)系獨(dú)立發(fā)展,其日前開始啟動存儲芯片工廠項(xiàng)目意味著其成為中國唯一以存儲芯片為主的半導(dǎo)體制造企業(yè)。

為保證該項(xiàng)目的順利發(fā)展,去年新芯從中國臺灣挖來臺灣 DRAM 廠茂德技術(shù)發(fā)展暨產(chǎn)品本部兼大中華事業(yè)部副總裁趙海軍,藉由他在臺灣的人脈關(guān)系尋找更多的的存儲芯片人才,這與其他大陸半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展類似,在缺乏技術(shù)人才的時候紛紛從中國臺灣挖取相關(guān)的技術(shù)專才以助力技術(shù)研發(fā),液晶企業(yè)華星光電、處理器設(shè)計(jì)企業(yè)展訊等俱是如此,中國臺灣的液晶面板、半導(dǎo)體等高科技制造業(yè)由于與韓國競爭處于下風(fēng)其相關(guān)人才也確實(shí)需要尋找新出路,這讓大陸和臺灣合作形成了共贏。

不過要真正形成與韓國和美國存儲企業(yè)競爭的實(shí)力尚需要時間,武漢新芯目前才開始動工建設(shè),預(yù)計(jì)到2020年能形成30萬片的生產(chǎn)規(guī)模。在生產(chǎn)工藝方面,武漢新芯目前采用45納米鏡像NOR閃存和65納米浮門NOR閃存,其表示正在開發(fā)20nm工藝,這與目前存儲芯片企業(yè)前三強(qiáng)的差距相當(dāng)大。

中國最大的優(yōu)勢是其是全球最大的市場,這龐大的市場除了對高端的存儲芯片有需求外,對中低端存儲芯片同樣的有龐大的需求,即使武漢新芯只是在中低端市場獲得部分市場份額也足以讓其持續(xù)良性發(fā)展,加上國家不斷的扶持投入再逐漸往更高階的存儲芯片爬升,這也正是韓國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的路徑。

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