臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家昨（16）日宣布，臺(tái)積電20納米生產(chǎn)系統(tǒng)單芯片（SoC）昨日正式投片，初期量雖不大，但下半年起開(kāi)始爆發(fā)，估計(jì)第4季營(yíng)收占比將飆升至20%，是臺(tái)積電一大利器，預(yù)估全年20納米營(yíng)收占比可達(dá)約一成。

另一共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音指出，臺(tái)積電16納米FinFET（鰭式場(chǎng)效電晶）制程，也正準(zhǔn)備為客戶(hù)進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape-out），估計(jì)明年第1季即可無(wú)縫接軌量產(chǎn)。劉德音預(yù)期，臺(tái)積電在10納米制程，晶體管密度就會(huì)與英特爾相近。

臺(tái)積電昨天公布，去年第4季40納米加計(jì)28納米營(yíng)收占比達(dá)51%，其中28納米制程占比達(dá)34%，是主力制程。

魏哲家表示，臺(tái)積電現(xiàn)有28納米客戶(hù)已逾60個(gè)，但將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)采用20納米，目前客戶(hù)數(shù)已有12個(gè)，并于昨天開(kāi)始投片量產(chǎn)，預(yù)估第2季產(chǎn)出，但一開(kāi)量還小，要到第3季才會(huì)快速提升。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅補(bǔ)充，20納米制程預(yù)估今年占營(yíng)收約一成，乍看比率不高，但第3季將爆發(fā)，第4季沖高占營(yíng)收20%，相較28納米經(jīng)歷四年才達(dá)到占營(yíng)收三成的水平，這個(gè)比率相當(dāng)驚人。

劉德音昨天引用英特爾法說(shuō)會(huì)所展示在晶體管密度的差異，反駁英特爾比臺(tái)積電的密度多35%。