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[導(dǎo)讀]隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代,設(shè)備廠也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后,另一設(shè)備大廠科磊(KLA

隨著臺(tái)積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代,設(shè)備廠也展開(kāi)新一波的搶單計(jì)劃。

在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后,另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布,同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺(tái)積電及英特爾供應(yīng)鏈,對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠漢微科來(lái)說(shuō)競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。

雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)下半年景氣能見(jiàn)度不高,但是包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大廠,仍積極投入擴(kuò)充新產(chǎn)能,尤其是明年將相繼跨入20納米,后年則會(huì)進(jìn)入16納米或14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)世代,也因此,國(guó)內(nèi)外設(shè)備大廠已積極布局爭(zhēng)取商機(jī)。

在晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)上,國(guó)內(nèi)設(shè)備廠漢微科靠著電子束檢測(cè)設(shè)備打響名號(hào),現(xiàn)在已經(jīng)打入臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠供應(yīng)鏈。由于缺陷檢測(cè)攸關(guān)制程良率的提升速度,國(guó)際大廠如應(yīng)用材料、科磊等,也已在光學(xué)及電子束檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)推出新一代產(chǎn)品,同樣也獲得臺(tái)積電英特爾等大廠青睞及采用。

應(yīng)用材料已在其SEMVision系列設(shè)備上,推出一套最新缺陷檢測(cè)及分類技術(shù),該設(shè)備的缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高分辨率、多維影像分析功能,及革命性創(chuàng)新的Purity自動(dòng)化缺陷分類(ADC)系統(tǒng)高智能的機(jī)器學(xué)習(xí)算法,同時(shí)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡技術(shù),并可支持到10納米制程。

科磊昨日在科技論壇中宣布推出采用NanoPoint技術(shù)的光學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)平臺(tái)及新型eDR-7100電子束晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。科磊兩此大平臺(tái)可以相互支持,可以迅速發(fā)現(xiàn)和可靠識(shí)別影響良率的缺陷,透過(guò)缺陷偵測(cè)并成像位于3D或垂直結(jié)構(gòu)如FinFET底部的獨(dú)特缺陷,在最短時(shí)間內(nèi)拉高制程良率。

法人表示,雖然漢微科在各大半導(dǎo)體廠的電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)占有率仍高,但應(yīng)用材料及科磊大動(dòng)作進(jìn)行卡位,尤其在現(xiàn)有光學(xué)缺陷檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)上增加支持,降低晶圓廠成本,的確會(huì)對(duì)漢微科造成競(jìng)爭(zhēng)壓力。

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