就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠(chǎng)的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器（eFlash）、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)元件、微機(jī)電及光感測(cè)元件等，都是臺(tái)積電未來(lái)2～3年的布局重點(diǎn)。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在上周法說(shuō)會(huì)中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因?yàn)樾袆?dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片，會(huì)大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類(lèi)比或感測(cè)芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應(yīng)用到先進(jìn)制程，但現(xiàn)有的6寸或8寸成熟制程仍需升級(jí)之后，才能生產(chǎn)出符合市場(chǎng)需求的芯片。

張忠謀提及，特殊技術(shù)制程未來(lái)幾年將見(jiàn)到明顯成長(zhǎng)，包括高電壓電源管理IC、嵌入式快閃存儲(chǔ)器微控制器（eFlashMCU）、陀螺儀等微機(jī)電、CMOS影像傳感器等最被看好。

當(dāng)然，隨著行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置在功能上的推除出新，臺(tái)積電也推出許多特殊技術(shù)制程因應(yīng)客戶(hù)需求，包括將感測(cè)芯片及鏡頭堆疊在一起的新技術(shù)、指紋辨識(shí)需應(yīng)用到的混合訊號(hào)制程、應(yīng)用在近場(chǎng)無(wú)線(xiàn)通訊（NFC）及觸控IC上的eFlash技術(shù)等。

臺(tái)積電過(guò)去幾年將成熟制程發(fā)展，列出MR.ABCD的新策略，鎖定6大產(chǎn)品線(xiàn)發(fā)展。根據(jù)臺(tái)積電規(guī)畫(huà)，包括微機(jī)電及微控制器（MEMS&MCU）、射頻芯片（RF）、汽車(chē)及類(lèi)比芯片（Automative&Analog）、電源管理芯片使用的高壓BCD制程、影像傳感器（CMOSImageSensor）、及顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（Display）等。6大產(chǎn)品線(xiàn)取其第一個(gè)英文字母，就成為了MR.ABCD策略。

分析師指出，臺(tái)積電MR.ABCD過(guò)去幾年拿下不少訂單，現(xiàn)在行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置中，采用成熟制程的新功能芯片成長(zhǎng)快速，臺(tái)積電利用原本基礎(chǔ)投入新一代特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)，這個(gè)策略及轉(zhuǎn)變已運(yùn)行一段時(shí)間，也得到不少客戶(hù)青睞。