28奈米夯 晶圓雙雄加速擴(kuò)產(chǎn)
[導(dǎo)讀]晶圓雙雄臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）被客戶(hù)及訂單追著跑！由于28奈米良率仍在初期提升階段，晶圓雙雄雖加快擴(kuò)產(chǎn)速度，但有效產(chǎn)能開(kāi)出情況仍不如預(yù)期多，設(shè)備業(yè)者指出，今年全年28奈米產(chǎn)能供不應(yīng)求將成常態(tài)。為了有
晶圓雙雄臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）被客戶(hù)及訂單追著跑！由于28奈米良率仍在初期提升階段，晶圓雙雄雖加快擴(kuò)產(chǎn)速度，但有效產(chǎn)能開(kāi)出情況仍不如預(yù)期多，設(shè)備業(yè)者指出，今年全年28奈米產(chǎn)能供不應(yīng)求將成常態(tài)。
為了有效降低晶片功耗，全球行動(dòng)裝置核心晶片、繪圖晶片、可程式邏輯閘陣列（FPGA）業(yè)者，今年全面性展開(kāi)28奈米製程微縮計(jì)畫(huà)。
為了加快28奈米產(chǎn)能布建，外資圈及設(shè)備商已預(yù)期，晶圓雙雄很可能會(huì)提升今年資本支出，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)良品晶片（gooddie）的強(qiáng)勁需求。其中，臺(tái)積電有機(jī)會(huì)由60億美元提升到68億美元，聯(lián)電也可能加碼，由原訂的20億美元提升到22億美元。
臺(tái)積電目前正全力沖刺28奈米擴(kuò)產(chǎn)，因?yàn)榘ɡL圖晶片雙雄輝達(dá)（NVIDIA）及超微、手機(jī)晶片廠(chǎng)高通（Qualcomm）、FPGA雙雄賽靈思（Xilinx）及阿爾特拉（Altera）等，都陸續(xù)宣布28奈米開(kāi)始量產(chǎn)投片。
只是臺(tái)積電28奈米良率好不好，至今仍是產(chǎn)業(yè)界密切關(guān)注焦點(diǎn)話(huà)題，而設(shè)備業(yè)者指出，28奈米良率已開(kāi)始有效拉升，現(xiàn)在臺(tái)積電的有效產(chǎn)能無(wú)法大量開(kāi)出的原因，是生產(chǎn)線(xiàn)的建置速度，追不上客戶(hù)需求成長(zhǎng)的速度。
聯(lián)電第1季也開(kāi)始展開(kāi)28奈米試產(chǎn)作業(yè)，雖然聯(lián)電的28奈米產(chǎn)能尚未完全確定，但包括德儀、高通等客戶(hù)已經(jīng)下單包產(chǎn)能，為了如期在今年中旬正式量產(chǎn)投片，聯(lián)電也已加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，以免延誤客戶(hù)下半年出貨的進(jìn)度。
設(shè)備業(yè)者透露，雖然臺(tái)積電28奈米的良率提升情況，就時(shí)間點(diǎn)的角度來(lái)看，仍?xún)?yōu)于當(dāng)年40奈米微縮速度，但客戶(hù)端并不滿(mǎn)意，所以臺(tái)積電若要如期交出足夠數(shù)量的良品晶片，只有加快擴(kuò)建生產(chǎn)線(xiàn)及拉高投片量的這個(gè)方法。至于聯(lián)電部份，28奈米良率仍低于預(yù)期，要達(dá)到量產(chǎn)所需良率水準(zhǔn)，可能還需要一個(gè)季度時(shí)間。
法人則指出，今年上半年28奈米市場(chǎng)最大的問(wèn)題，仍在于良率的提升速度，下半年則是產(chǎn)能開(kāi)出幅度夠不夠，由于行動(dòng)裝置ARM應(yīng)用處理器、4GLTE基頻晶片、繪圖晶片等產(chǎn)品所需的投片量大，今年全年28奈米產(chǎn)能供不應(yīng)求已是難以避免的事。
為了有效降低晶片功耗，全球行動(dòng)裝置核心晶片、繪圖晶片、可程式邏輯閘陣列（FPGA）業(yè)者，今年全面性展開(kāi)28奈米製程微縮計(jì)畫(huà)。
為了加快28奈米產(chǎn)能布建，外資圈及設(shè)備商已預(yù)期，晶圓雙雄很可能會(huì)提升今年資本支出，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)良品晶片（gooddie）的強(qiáng)勁需求。其中，臺(tái)積電有機(jī)會(huì)由60億美元提升到68億美元，聯(lián)電也可能加碼，由原訂的20億美元提升到22億美元。
臺(tái)積電目前正全力沖刺28奈米擴(kuò)產(chǎn)，因?yàn)榘ɡL圖晶片雙雄輝達(dá)（NVIDIA）及超微、手機(jī)晶片廠(chǎng)高通（Qualcomm）、FPGA雙雄賽靈思（Xilinx）及阿爾特拉（Altera）等，都陸續(xù)宣布28奈米開(kāi)始量產(chǎn)投片。
只是臺(tái)積電28奈米良率好不好，至今仍是產(chǎn)業(yè)界密切關(guān)注焦點(diǎn)話(huà)題，而設(shè)備業(yè)者指出，28奈米良率已開(kāi)始有效拉升，現(xiàn)在臺(tái)積電的有效產(chǎn)能無(wú)法大量開(kāi)出的原因，是生產(chǎn)線(xiàn)的建置速度，追不上客戶(hù)需求成長(zhǎng)的速度。
聯(lián)電第1季也開(kāi)始展開(kāi)28奈米試產(chǎn)作業(yè)，雖然聯(lián)電的28奈米產(chǎn)能尚未完全確定，但包括德儀、高通等客戶(hù)已經(jīng)下單包產(chǎn)能，為了如期在今年中旬正式量產(chǎn)投片，聯(lián)電也已加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，以免延誤客戶(hù)下半年出貨的進(jìn)度。
設(shè)備業(yè)者透露，雖然臺(tái)積電28奈米的良率提升情況，就時(shí)間點(diǎn)的角度來(lái)看，仍?xún)?yōu)于當(dāng)年40奈米微縮速度，但客戶(hù)端并不滿(mǎn)意，所以臺(tái)積電若要如期交出足夠數(shù)量的良品晶片，只有加快擴(kuò)建生產(chǎn)線(xiàn)及拉高投片量的這個(gè)方法。至于聯(lián)電部份，28奈米良率仍低于預(yù)期，要達(dá)到量產(chǎn)所需良率水準(zhǔn)，可能還需要一個(gè)季度時(shí)間。
法人則指出，今年上半年28奈米市場(chǎng)最大的問(wèn)題，仍在于良率的提升速度，下半年則是產(chǎn)能開(kāi)出幅度夠不夠，由于行動(dòng)裝置ARM應(yīng)用處理器、4GLTE基頻晶片、繪圖晶片等產(chǎn)品所需的投片量大，今年全年28奈米產(chǎn)能供不應(yīng)求已是難以避免的事。
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