Mobile RAM防線恐失守 DRAM廠避風(fēng)港瀕臨潰堤
[導(dǎo)讀]行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PCDRAM需求式微，自2011年起包括MobileRAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，MobileRAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本
行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PCDRAM需求式微，自2011年起包括MobileRAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，MobileRAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的MobileRAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PCDRAM，加上近日PCDRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM存儲(chǔ)器消耗量減少50%，更成為壓垮DRAM產(chǎn)業(yè)最后一根稻草，DRAM廠為因應(yīng)智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、云端運(yùn)算等趨勢(shì)潮流，紛尋求避風(fēng)港，轉(zhuǎn)型生產(chǎn)MobileRAM、服務(wù)器DRAM等，避開PCDRAM產(chǎn)品線。
不過(guò)，隨著DRAM廠一窩蜂轉(zhuǎn)進(jìn)MobileRAM領(lǐng)域，近期已出現(xiàn)后遺癥，由于蘋果(Apple)MobileRAM最大供應(yīng)商爾必達(dá)感受到客戶訂單趨緩，被迫減少M(fèi)obileRAM投片量，將廣島12寸廠部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到PCDRAM產(chǎn)品上，為MobileRAM恐步上供過(guò)于求后塵敲響警鐘。
值得注意的是，現(xiàn)階段PCDRAM市況亦相當(dāng)慘烈，即使是DRAM廠紛陸續(xù)把產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，仍舊無(wú)法逆轉(zhuǎn)PCDRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求情況，16日2Gb容量DDR3芯片再度出現(xiàn)崩跌，不論是品牌或eTT芯片都面臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，加上6月底季底壓力逼近及終端需求不佳，都將讓DDR3價(jià)格持續(xù)探底，如今傳出存儲(chǔ)器大廠將MobileRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)回生產(chǎn)PCDRAM，恐將對(duì)后續(xù)市況更雪上加霜。
DRAM廠表示，2Gb容量DDR3芯片1.5美元價(jià)格若失守，代表現(xiàn)在正努力轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程的所有DRAM廠，就算采用40納米制程生產(chǎn)，都還是處于賠錢狀態(tài)，尤其臺(tái)系DRAM廠制程進(jìn)度較慢，更將陷入進(jìn)退維谷窘境。
事實(shí)上，DRAM廠原本認(rèn)為MobileRAM等利基型產(chǎn)品是最佳避風(fēng)港，但避風(fēng)港的市場(chǎng)胃納量相當(dāng)有限，加上平板計(jì)算機(jī)買氣不如預(yù)期樂觀，MobileRAM出現(xiàn)供過(guò)于求警訊并不令業(yè)者意外。至于服務(wù)器DRAM方面，由于技術(shù)門檻不如外界想象中容易，雖然云端商機(jī)帶動(dòng)服務(wù)器需求大增，但這亦是兵家必爭(zhēng)之地，欲有效成為DRAM廠避風(fēng)港，難度恐不低。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)情況是沒有任何一項(xiàng)產(chǎn)品線可獨(dú)撐大局，各廠經(jīng)營(yíng)型態(tài)逐漸轉(zhuǎn)變成復(fù)合式的精品店，不論是PCDRAM、MobileRAM、服務(wù)器DRAM、消費(fèi)性DRAM等都要作，在產(chǎn)能調(diào)配上必須具備靈活性和彈性，才能適應(yīng)變化快速的市場(chǎng)趨勢(shì)。
另外，無(wú)論DRAM廠怎么轉(zhuǎn)型，未來(lái)趨勢(shì)都是緊跟著行動(dòng)裝置市場(chǎng)，但臺(tái)廠卻沒有NANDFlash產(chǎn)品線，讓臺(tái)廠相較于國(guó)際大廠競(jìng)爭(zhēng)力大大減少，臺(tái)廠雖已有力晶、旺宏投入NANDFlash開發(fā)，但實(shí)力仍差國(guó)際大廠一大截，轉(zhuǎn)型之路恐仍長(zhǎng)路漫漫。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM存儲(chǔ)器消耗量減少50%，更成為壓垮DRAM產(chǎn)業(yè)最后一根稻草，DRAM廠為因應(yīng)智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、云端運(yùn)算等趨勢(shì)潮流，紛尋求避風(fēng)港，轉(zhuǎn)型生產(chǎn)MobileRAM、服務(wù)器DRAM等，避開PCDRAM產(chǎn)品線。
不過(guò)，隨著DRAM廠一窩蜂轉(zhuǎn)進(jìn)MobileRAM領(lǐng)域，近期已出現(xiàn)后遺癥，由于蘋果(Apple)MobileRAM最大供應(yīng)商爾必達(dá)感受到客戶訂單趨緩，被迫減少M(fèi)obileRAM投片量，將廣島12寸廠部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到PCDRAM產(chǎn)品上，為MobileRAM恐步上供過(guò)于求后塵敲響警鐘。
值得注意的是，現(xiàn)階段PCDRAM市況亦相當(dāng)慘烈，即使是DRAM廠紛陸續(xù)把產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，仍舊無(wú)法逆轉(zhuǎn)PCDRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求情況，16日2Gb容量DDR3芯片再度出現(xiàn)崩跌，不論是品牌或eTT芯片都面臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，加上6月底季底壓力逼近及終端需求不佳，都將讓DDR3價(jià)格持續(xù)探底，如今傳出存儲(chǔ)器大廠將MobileRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)回生產(chǎn)PCDRAM，恐將對(duì)后續(xù)市況更雪上加霜。
DRAM廠表示，2Gb容量DDR3芯片1.5美元價(jià)格若失守，代表現(xiàn)在正努力轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程的所有DRAM廠，就算采用40納米制程生產(chǎn)，都還是處于賠錢狀態(tài)，尤其臺(tái)系DRAM廠制程進(jìn)度較慢，更將陷入進(jìn)退維谷窘境。
事實(shí)上，DRAM廠原本認(rèn)為MobileRAM等利基型產(chǎn)品是最佳避風(fēng)港，但避風(fēng)港的市場(chǎng)胃納量相當(dāng)有限，加上平板計(jì)算機(jī)買氣不如預(yù)期樂觀，MobileRAM出現(xiàn)供過(guò)于求警訊并不令業(yè)者意外。至于服務(wù)器DRAM方面，由于技術(shù)門檻不如外界想象中容易，雖然云端商機(jī)帶動(dòng)服務(wù)器需求大增，但這亦是兵家必爭(zhēng)之地，欲有效成為DRAM廠避風(fēng)港，難度恐不低。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)情況是沒有任何一項(xiàng)產(chǎn)品線可獨(dú)撐大局，各廠經(jīng)營(yíng)型態(tài)逐漸轉(zhuǎn)變成復(fù)合式的精品店，不論是PCDRAM、MobileRAM、服務(wù)器DRAM、消費(fèi)性DRAM等都要作，在產(chǎn)能調(diào)配上必須具備靈活性和彈性，才能適應(yīng)變化快速的市場(chǎng)趨勢(shì)。
另外，無(wú)論DRAM廠怎么轉(zhuǎn)型，未來(lái)趨勢(shì)都是緊跟著行動(dòng)裝置市場(chǎng)，但臺(tái)廠卻沒有NANDFlash產(chǎn)品線，讓臺(tái)廠相較于國(guó)際大廠競(jìng)爭(zhēng)力大大減少，臺(tái)廠雖已有力晶、旺宏投入NANDFlash開發(fā)，但實(shí)力仍差國(guó)際大廠一大截，轉(zhuǎn)型之路恐仍長(zhǎng)路漫漫。
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