作為中國本土最大的芯片制造商，中芯國際的技術動向無疑是業(yè)界的焦點。中芯國際已走過10個年頭，9月16日舉辦的的技術研討會恰逢其成立10周年，新領導班子的集體亮相、最新技術路線圖的發(fā)布、研發(fā)進展狀況等，成為了此次研討會的最大亮點。

中芯國際最新技術路線圖發(fā)布

“中芯國際對于技術的發(fā)展投入不遺余力，這也是我們能夠在中國半導體業(yè)界得以領先的最重要原因?！敝行緡HCOOSimonYang博士說，“今年年底我們將結束55nm的研發(fā)，本月底40nm的研發(fā)將freeze，32nm的設備PO已發(fā)出，研發(fā)也已于今年5月啟動?！敝行緡H中短期的技術路線圖見表1。

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“截至2010年8月底，中芯國際的專利共4060件。雖然與國際先進公司還有差距，但是在國內已遙遙領先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國際自己的光罩廠制造，充分證明了中芯國際在芯片制造領域的實力?！盨imonYang博士坦言。

中芯國際2000年由上海起步，經過10年的發(fā)展，已在中國大陸“遍地開花”，200mm及300mm生產線均已有5條（包括已建成的深圳300mm生產線）。各生產線的產能規(guī)劃也在此次研討會公布（見表2）。

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32nm研發(fā)加速

“毫無疑問，Intel是芯片制造技術的領先者，最先進的技術往往由Intel發(fā)布。作為代工廠，中芯國際的65/60nm技術大約比其晚4年，但是從45/40nm開始，我們的研發(fā)已經加速，32nm技術只落后2年左右。預計在2013年3月，我們的32nm就將進行產品驗證?！盨imonYang博士說。

周梅生博士從工藝角度對中芯國際的技術進行了解析?！霸跂艠O部分，32nm將會采用高K金屬柵工藝，以此取代以往的Poly/SION，這是亮點，當然也是難點所在，中芯國際將會采用的是GateLast技術；在關鍵的光刻部分，依然是采用現在主流的浸入式光刻；應變硅部分會采用SMT和SiGe。

季明華博士重點介紹了邏輯和SOC技術?！爸行緡H的45nmLL（LowLeakage）和GP（GenericwithHighPerformance）來自IBM，在此基礎上形成了中芯國際的45nmLL和GP技術，再進一步經過縮小，即有了40nmLL和GP。40LL將在本月底freeze，隨后會經過3-6個月的認證。從技術層面看，SoC技術它以超深亞微米VDSM（VeryDeepSubmicron）工藝和知識產權IP為支撐，是集成電路發(fā)展的必然趨勢和主流，也是中芯國際未來的重點之一。

對于芯片制造來說，只有市場的領導者才能實現盈利，后來者就只能通過價格競爭來取得市場份額。32nm芯片的研發(fā)費用已高達$100milion，但中芯國際32nm加速發(fā)展，22nm也已提上日程。無論是產業(yè)布局，還是技術發(fā)展進度，中芯國際都已成為中國芯片制造業(yè)的標桿。