近期看到FPGA大廠陸續(xù)推出3D系統(tǒng)晶片，令人想起幾前年半導體產業(yè)開始積極推展的3D晶片，似乎經過幾年的醞釀，目前開始看到該技術的開花結果。只不過，Altera臺灣區(qū)總經理陳英仁指出，這些其實都是屬于2.5D的制程，不是真正3D的技術范疇。3D制程的技術含量更深，目前仍是個很大的挑戰(zhàn)。

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附圖:3D晶片要真正商用化，現(xiàn)在仍太早。

陳英仁說，目前FPGA大廠所標榜的3D晶片，其實都只是2.5D制程技術，并非真正的3D晶片。目前2.5D技術逐漸成熟，產品也陸續(xù)推出市場。然而，從2.5D到3D，這看似短短一步可及的距離，事實上其技術難度卻有如天與地一般遙遠。

2.5D晶片的采用，其實正是3D真正商用化之前的一種替代方案。2.5D晶片其實就是將主動元件放在被動的矽中介層上。矽中介層能平行連接數(shù)個矽切片，透過和PCB上不同的IC金屬互連方式，這些矽片能經由該中介層的金屬互連來連接。

3D晶片經過幾年的發(fā)展，盡管已經克服許多困難，但3D晶片要真正商用化，坦白說現(xiàn)在仍太早。3D晶片等同于整體晶片設計的革命性突破，這包括從基礎IC設計、晶片封裝到散熱機構等細節(jié)。

3D晶片最大的挑戰(zhàn)，最先面臨的就是晶片的連接方式。目前最可行的TSV，是在數(shù)個垂直堆疊的晶片上穿孔來連接晶片，但技術尚未成熟，成本也高，良率相對偏低。其次是散熱。當多個主動式晶片堆疊在一起時，每個晶片運作所散發(fā)的熱要如何排出就是個大問題。特別是當晶片堆疊??在一起時，中間部份幾乎無法散熱。曾有工程師提出3D晶片中，透過風孔排熱的構想，但難以實現(xiàn)。散熱問題不解決，3D晶片便很難跨出下一步。

此外，TSV的穿孔，也會在晶片發(fā)熱時產生大問題。晶片遇熱膨脹后，應力會影響周邊的電晶體性能，這是TSV發(fā)展過程中最難解決的部分。專家認為，3D晶片要走到成熟的階段，估計還要至少3年以上?？磥?，這短短0.5D的路，半導體產業(yè)還得走上很久。