[導(dǎo)讀]2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚。DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境
2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚。
DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出、停止原先擴廠計劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略因應(yīng)，為的就是保有手中現(xiàn)金。
至2009年第四季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第二季至2010年第二季之間，得以維持將近5季榮景的重要原因。
然而，2010年第二季以來，先有三星電子(SamsungElectronics)宣布26兆韓元的投資計劃，率先將30納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴充內(nèi)存產(chǎn)能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1GbDDR3現(xiàn)貨價從2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。
柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產(chǎn)能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)能依然出現(xiàn)明顯成長，以65納米制程升級至50納米制程，產(chǎn)能即可增加50%，從50納米制程轉(zhuǎn)換至40納米制程，產(chǎn)能將更進一步成長45%。
依據(jù)各DRAM廠所開出產(chǎn)能分析，柴煥欣預(yù)估，2010年全球DRAM位供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%，2011年DRAM位供給量大幅成長的原因則來自于先進制程的升級，其次才是來自于產(chǎn)能擴增。
包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40納米制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進制程占營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴張的時期將告一段落，轉(zhuǎn)而進入通過制程升級來擴張產(chǎn)能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。
600)this.style.width=600;" border="0" />
DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出、停止原先擴廠計劃外，亦先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)廠等策略因應(yīng)，為的就是保有手中現(xiàn)金。
至2009年第四季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現(xiàn)金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第二季至2010年第二季之間，得以維持將近5季榮景的重要原因。
然而，2010年第二季以來，先有三星電子(SamsungElectronics)宣布26兆韓元的投資計劃，率先將30納米制程導(dǎo)入量產(chǎn)，并大幅擴充內(nèi)存產(chǎn)能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1GbDDR3現(xiàn)貨價從2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩(wěn)的跡象。
柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產(chǎn)能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進制程占產(chǎn)出比重提高，產(chǎn)能依然出現(xiàn)明顯成長，以65納米制程升級至50納米制程，產(chǎn)能即可增加50%，從50納米制程轉(zhuǎn)換至40納米制程，產(chǎn)能將更進一步成長45%。
依據(jù)各DRAM廠所開出產(chǎn)能分析，柴煥欣預(yù)估，2010年全球DRAM位供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%，2011年DRAM位供給量大幅成長的原因則來自于先進制程的升級，其次才是來自于產(chǎn)能擴增。
包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40納米制程產(chǎn)能將于2011年大量開出，且先進制程占營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產(chǎn)能擴張的時期將告一段落，轉(zhuǎn)而進入通過制程升級來擴張產(chǎn)能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關(guān)鍵因素。
600)this.style.width=600;" border="0" />
下載文檔
