意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)率先將矽穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via，TSV)導(dǎo)入 MEMS 晶片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多晶片 MEMS 產(chǎn)品(如智慧型感測器和多軸慣性模組)中，矽穿孔技術(shù)以短式垂直互連方式(short vertical interconnect)取代傳統(tǒng)的晶片連接，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的整合度和性能。
矽穿孔技術(shù)透過短式垂直結(jié)構(gòu)連接同一個封裝內(nèi)堆疊放置的多顆晶片，相較于傳統(tǒng)的打線接合(wire bonding)或覆晶堆疊(flip chip stacking)技術(shù)，矽穿孔技術(shù)擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導(dǎo)體已取得矽穿孔技術(shù)專利，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項技術(shù)有助于縮減 MEMS 晶片尺寸，同時可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。

在大規(guī)模量產(chǎn)制造 MEMS 感測器和致動器方面，意法半導(dǎo)體成功研發(fā)出尺寸小巧、測量精確且價格實惠的動作感測器，并帶動消費性電子 MEMS 技術(shù)創(chuàng)新。截至今日，意法半導(dǎo)體的 MEMS 晶片出貨量已超過16億顆，主要用于消費性電子、電腦、汽車產(chǎn)品、工業(yè)控制以及醫(yī)療保健領(lǐng)域。