在“NEPCON日本2013”的技術(shù)研討會(huì)（研討會(huì)編號(hào)：ICP-2）上，英特爾和高通分別就有望在新一代移動(dòng)SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)實(shí)用的TSV（硅通孔）三維封裝技術(shù)發(fā)表了演講。兩家公司均認(rèn)為，“三維封裝是將來的技術(shù)方向”，不過目前存在較多課題，實(shí)用化估計(jì)要到2015年以后。

英特爾在個(gè)人電腦用微處理器領(lǐng)域擁有絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額，但在逐漸成為互聯(lián)網(wǎng)終端主角的智能手機(jī)和平板電腦所使用的SoC方面，卻落后于高通等公司。因此，英特爾計(jì)劃加快用于移動(dòng)SoC的各種技術(shù)的開發(fā)。

其中最重要的就是通過TSV三維封裝技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的Wide I/O技術(shù)。英特爾計(jì)劃通過擴(kuò)大SoC與內(nèi)存之間的I/O（總線寬度），來提高內(nèi)存帶寬，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高速化和低功耗化。

高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies）IC封裝工程高級(jí)主管Steve Bezuk介紹了高通的開發(fā)戰(zhàn)略，并向與會(huì)者展示了在28nm工藝邏輯LSI上層疊雙芯片Wide I/O元件后的X射線圖像等。日本英特爾公司技術(shù)開發(fā)制造技術(shù)本部匯編技術(shù)開發(fā)部部長(zhǎng)市川公也發(fā)表演講介紹了英特爾的開發(fā)戰(zhàn)略。他表示，希望把TSV這一面向移動(dòng)SoC的技術(shù)在市場(chǎng)上推廣。

不過，基于TSV的Wide I/O技術(shù)存在較多課題。日本英特爾的市川表示，由于需要高精度的TCB（Thermo-Compression Bonding，熱壓結(jié)合）技術(shù)和無塵環(huán)境，因此容易推高成本。為實(shí)現(xiàn)低成本化，與材料及設(shè)備供應(yīng)商之間的合作不可或缺。高通的Bezuk預(yù)測(cè)稱，“目前存在可靠性和成品率問題，將在2015～2016年實(shí)現(xiàn)實(shí)用化”。英特爾默認(rèn)在移動(dòng)SoC用Wide I/O技術(shù)的開發(fā)方面落后于高通，同時(shí)表示“我們會(huì)努力追趕”（市川）。（記者：木村 雅秀，《日經(jīng)電子》）

在28nm工藝邏輯LSI上層疊雙芯片Wide I/元件后（X射線圖像）。高通資料