NI新興半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)研討會(huì)開跑
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美商國(guó)家儀器(NI)將于今年4月10日在新竹科技生活館舉辦研討會(huì),介紹如何將PXI平臺(tái)應(yīng)用在R&D的研發(fā)驗(yàn)證與產(chǎn)線的大量生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng),讓R&D端與產(chǎn)線端可以使用相同的測(cè)試系統(tǒng),以大幅減少測(cè)試成本,并藉由PXI平臺(tái)同步測(cè)試的優(yōu)勢(shì)來(lái)提升測(cè)試速度,同時(shí)分享如何用PXI平臺(tái)進(jìn)行多種無(wú)線通訊協(xié)定的混合測(cè)試。
根據(jù)經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì),2011年半導(dǎo)體產(chǎn)值已超過(guò)1.5兆臺(tái)幣,加上新制程及IC技術(shù)不斷推進(jìn),半導(dǎo)體廠商每年需投入高達(dá)10%??的總體營(yíng)收在設(shè)備上,伴隨著2012年近期景氣愈趨明朗,產(chǎn)線滿載的情形下,「產(chǎn)品測(cè)試」端的測(cè)試速度及測(cè)試品質(zhì)亦相對(duì)被要求,這些無(wú)疑都是即將要面臨的挑戰(zhàn)。
若將產(chǎn)品的測(cè)試流程放大來(lái)看,R&D進(jìn)行EVT、DVT,進(jìn)而再交由產(chǎn)線進(jìn)行PVT,若R&D和產(chǎn)線使用的測(cè)試設(shè)備不同,除了增加實(shí)質(zhì)的測(cè)試成本,也增加了雙方溝通的時(shí)間成本;一般統(tǒng)計(jì)若R&D與測(cè)試端采用相同的測(cè)試設(shè)備,將可縮減一半的資金成本,且整體時(shí)間支出也將縮短2.5倍以上。
為幫助半導(dǎo)體廠商降低測(cè)試成本與時(shí)間,美商國(guó)家儀器開辦新興半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)研討會(huì),歡迎各界相關(guān)專業(yè)人士一同與會(huì),體驗(yàn)PXI所帶來(lái)的超速測(cè)試和一機(jī)到底的量測(cè)新風(fēng)潮。
美商國(guó)家儀器網(wǎng)址:ni.com