形成評(píng)測(cè)用硅轉(zhuǎn)接板（TEG）的150mm晶圓（左）和200mm晶圓（右）（點(diǎn)擊放大）
大日本印刷在“JPCA Show 2011（第41屆國(guó)際電子電路產(chǎn)業(yè)展）”上展出了采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板。該公司大約從10年前開(kāi)始開(kāi)展MEMS代工業(yè)務(wù)，最近利用業(yè)務(wù)中積累的技術(shù)開(kāi)發(fā)出了附帶TSV的硅轉(zhuǎn)接板。

這種硅轉(zhuǎn)接板采用了通過(guò)Cu-TSV工藝連接硅基板兩面的再布線層（積層）的構(gòu)造。通過(guò)在轉(zhuǎn)接板的兩面分別封裝芯片，可以實(shí)現(xiàn)CoC（chip on chip）構(gòu)造?，F(xiàn)已開(kāi)始提供用于評(píng)測(cè)電氣特性的試制品（TEG），日本國(guó)內(nèi)外的多家客戶(hù)正在進(jìn)行評(píng)測(cè)。主要用途是用于處理大容量數(shù)據(jù)的車(chē)載及影像終端，“馬上將開(kāi)始量產(chǎn)”（大日本印刷）。

Cu-TSV的尺寸為：直徑50μm、間距200μm、深（硅晶圓的厚度）400μm。通過(guò)采用自主的鍍銅技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了將通孔完全用銅埋住的填孔技術(shù)。在硅基板兩面分別形成的再布線層為雙層構(gòu)造，第一層為銅，第二層為銅、鎳、金。層間絕緣材料使用聚酰亞胺。

大日本印刷在該公司的展位上，展示了形成評(píng)測(cè)用轉(zhuǎn)接板的150mm晶圓和200mm晶圓。其中，150mm晶圓上形成的評(píng)測(cè)用轉(zhuǎn)接板（TEG）在20.18mm見(jiàn)方的芯片內(nèi)形成了2010個(gè)TSV。構(gòu)成了可以評(píng)測(cè)導(dǎo)通、絕緣以及高頻特性等的布線圖案，計(jì)劃2011年夏天變更為能以更高精度測(cè)量高頻特性的設(shè)計(jì)。

另外，大日本印刷還在展位上展示了僅形成TSV的300mm晶圓，不過(guò)該晶圓不是由該公司加工的，而是由裝置廠商試制的。據(jù)介紹，大日本印刷的MEMS生產(chǎn)線目前還無(wú)法生產(chǎn)300mm晶圓，不過(guò)將來(lái)計(jì)劃支持300mm晶圓。為保證300mm晶圓的機(jī)械強(qiáng)度，晶圓厚度略厚，為500μm。（記者：木村 雅秀）


150mm晶圓的TEG圖案 （點(diǎn)擊放大）


300mm晶圓僅形成TSV （點(diǎn)擊放大）

詳細(xì)數(shù)據(jù)（點(diǎn)擊放大）