臺積電共同營運長蔣尚義昨（22）日表示，臺積電由20納米跨入16納米制程微縮時間確定縮短1年，即2015年將提前量產3D晶體管架構的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺積電已決定加快研發(fā)腳步，「希望10納米世代就能全面趕上英特爾」，時間點就落在2017年。

臺積電董事長張忠謀在日前法說會中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產。主掌臺積電技術研發(fā)的蔣尚義昨天則說明，加快16納米量產，是因為客戶對此有強烈需求。

蔣尚義表示，臺積電明年開始進入20納米單芯片（SoC）制程量產，16納米FinFET制程理論上應該是20納米量產的2年后才會導入，不過，這只是特例而非常態(tài)，主要是英特爾已成為臺積電的間接競爭對手。

蔣尚義表示，過去英特爾要生產處理器，所以半導體制程一直是最先進的，但現(xiàn)在英特爾搶進行動裝置市場，臺積電很多客戶都開始要跟英特爾競爭，也因此，客戶要臺積電加快研發(fā)速度，臺積電當然從善如流，加快制程的微縮時程，才不會讓客戶失去競爭力。

根據臺積電目前規(guī)劃，2014年開始導入20納米SoC制程量產，2015年導入16納米FinFET制程量產，但后續(xù)的10納米量產時間，仍將在16納米量產之后2年才會導入，也就是2017年臺積電將進入10納米世代，且可望首度采用先進的極紫外光（EUV）微影技術。

蔣尚義表示，為了滿足客戶對先進制程的需求，臺積電已集結了開放創(chuàng)新平臺（OIP）中的各供應商，投入龐大資源加速制程推進速度，「希望10納米世代就能全面趕上英特爾」。

英特爾的制程推進仍依循摩爾定律，2014年14納米將進入量產階段，2016年后則導入10納米量產，由此來看，若臺積電能在2015年以10納米量產投片，的確已追趕上英特爾。

臺積電及英特爾均參加了微影設備大廠艾司摩爾（ASML）的「客戶聯(lián)合投資專案」，共同開發(fā)EUV微影技術，近期研發(fā)上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小時可處理43片晶圓，10納米世代可望開始導入EUV技術。