臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義昨（22）日表示，臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步，「希望10納米世代就能全面趕上英特爾」，時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在日前法說(shuō)會(huì)中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說(shuō)明，加快16納米量產(chǎn)，是因?yàn)榭蛻魧?duì)此有強(qiáng)烈需求。

蔣尚義表示，臺(tái)積電明年開(kāi)始進(jìn)入20納米單芯片（SoC）制程量產(chǎn)，16納米FinFET制程理論上應(yīng)該是20納米量產(chǎn)的2年后才會(huì)導(dǎo)入，不過(guò)，這只是特例而非常態(tài)，主要是英特爾已成為臺(tái)積電的間接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

蔣尚義表示，過(guò)去英特爾要生產(chǎn)處理器，所以半導(dǎo)體制程一直是最先進(jìn)的，但現(xiàn)在英特爾搶進(jìn)行動(dòng)裝置市場(chǎng)，臺(tái)積電很多客戶都開(kāi)始要跟英特爾競(jìng)爭(zhēng)，也因此，客戶要臺(tái)積電加快研發(fā)速度，臺(tái)積電當(dāng)然從善如流，加快制程的微縮時(shí)程，才不會(huì)讓客戶失去競(jìng)爭(zhēng)力。

根據(jù)臺(tái)積電目前規(guī)劃，2014年開(kāi)始導(dǎo)入20納米SoC制程量產(chǎn)，2015年導(dǎo)入16納米FinFET制程量產(chǎn)，但后續(xù)的10納米量產(chǎn)時(shí)間，仍將在16納米量產(chǎn)之后2年才會(huì)導(dǎo)入，也就是2017年臺(tái)積電將進(jìn)入10納米世代，且可望首度采用先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影技術(shù)。

蔣尚義表示，為了滿足客戶對(duì)先進(jìn)制程的需求，臺(tái)積電已集結(jié)了開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）中的各供應(yīng)商，投入龐大資源加速制程推進(jìn)速度，「希望10納米世代就能全面趕上英特爾」。

英特爾的制程推進(jìn)仍依循摩爾定律，2014年14納米將進(jìn)入量產(chǎn)階段，2016年后則導(dǎo)入10納米量產(chǎn)，由此來(lái)看，若臺(tái)積電能在2015年以10納米量產(chǎn)投片，的確已追趕上英特爾。

臺(tái)積電及英特爾均參加了微影設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）的「客戶聯(lián)合投資專案」，共同開(kāi)發(fā)EUV微影技術(shù)，近期研發(fā)上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小時(shí)可處理43片晶圓，10納米世代可望開(kāi)始導(dǎo)入EUV技術(shù)。