王端強調，一旦三星因應市場潮流轉攻后閘極，不免要投入大量資金與人力改造廠房與晶圓布局，在晶片量產成本與時程方面將落后臺積電等主要競爭對手，促使既有的大客戶蘋果琵琶別抱。

事實上，除英特爾(Intel)自45奈米制程以后即力挺后閘極技術外，包括臺積電、聯(lián)電等一線晶圓代工大廠，均已表態(tài)在28、20奈米制程世代加入該技術推廣行列。至于格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)原本在28奈米制程強打前閘極，并宣稱可提供更出色的功耗表現(xiàn)，但后來也轉而跟進，并將于20奈米世代轉用后閘極。現(xiàn)階段，僅剩三星尚未傳出轉換消息，仍維持前閘極制造方案。

目前，臺積電的后閘極28奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，已成功進入大量生產階段，技術居于領先地位；同時，該公司今年也一再調高資本支出，大手筆擴充28、 20奈米產能，大幅增強接單能力。

據(jù)了解，后閘極與前閘極系實現(xiàn)HKMG結構電晶體的兩大技術流派，差別在于安排矽晶片漏/源區(qū)離子注入、高溫退火和金屬閘極形成等步驟的先后順序。其中，后閘極先完成前兩項步驟后，再進行金屬閘極形成；雖制程設備與技術要求較復雜，但可使閘極不易受到熱的影響，且能有效控制電晶體的臨界電壓，從而因應低功耗到高效能應用的全方位晶片開發(fā)計劃。

除后閘極制程帶來的各種優(yōu)點，可望促使蘋果轉單外，王端也強調，蘋果與三星之間的專利戰(zhàn)火持續(xù)延燒，且三星在高階智慧型手機市場的占有率迅速爬升，亦為蘋果帶來更大威脅，預估兩家公司未來的合作關系將逐漸淡化。

王端認為，蘋果每年重砸20幾億美元，委由三星操刀的處理器制造業(yè)務，勢將積極尋求其他晶圓代工合作對象，避免承擔過高的投資風險。屆時，技術、產能雙雙居于市場領先地位的臺積電，將更有勝出機會。