據(jù)報道，2012年臺積電準備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預算中的一部分。

去年，臺積電的R&D預算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預計今年可以投產(chǎn)，而14nm則預計在2014年投產(chǎn)。

而非R&D方面的資本支出預算主要在擴大28nm工藝產(chǎn)能同時引入20nm方面。

盡管競爭對手三星和英特爾分別有30億美元和50億美元的R&D投入，但他們的這部分預算是包括設備研發(fā)的，而臺積電主要專注于工藝研發(fā)。

臺積電2012年市場份額預計為170億美元，在一定程度上與英特爾的500億美元和三星的300億美元相比稍遜一籌。