據(jù)報(bào)道，2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。

去年，臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會(huì)用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計(jì)今年可以投產(chǎn)，而14nm則預(yù)計(jì)在2014年投產(chǎn)。

而非R&D方面的資本支出預(yù)算主要在擴(kuò)大28nm工藝產(chǎn)能同時(shí)引入20nm方面。

盡管競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾分別有30億美元和50億美元的R&D投入，但他們的這部分預(yù)算是包括設(shè)備研發(fā)的，而臺(tái)積電主要專注于工藝研發(fā)。

臺(tái)積電2012年市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)為170億美元，在一定程度上與英特爾的500億美元和三星的300億美元相比稍遜一籌。