晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7奈米節(jié)點；但在 7奈米節(jié)點以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來自于經(jīng)濟，并非技術(shù)。
蔣尚義表示，他有信心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在接下來十年找到克服7奈米以下節(jié)點技術(shù)障礙的解決方案；但也指出，新技術(shù)雖然能實現(xiàn)7奈米以下節(jié)點制程晶片量產(chǎn)，卻可能得付出高昂代價：「當(dāng)制程節(jié)點演進(jìn)，我們也看到晶圓制造價格比前一代制程增加了許多?！?br>
在ARM技術(shù)論壇的另一場專題演說中，EDA供應(yīng)商Cadence Design Systems旗下Silicon Realization部門的資深研發(fā)副總裁徐季平(Chi-Ping Hsu)，簡報了半導(dǎo)體制程從32/28奈米節(jié)點過渡到22/20奈米節(jié)點的制程技術(shù)研發(fā)成本增加幅度；他舉例指出，如果32/28奈米節(jié)點縮需成本是12億美元，來到22/20奈米節(jié)點，該成本規(guī)模將增加至21至30億美元。

至于晶片設(shè)計成本，則會從32奈米節(jié)點所需的5,000萬至9,000萬美元，在22奈米節(jié)點增加至1.2億至5億美元。徐季平并指出，在32奈米節(jié)點，晶片銷售量需要達(dá)到3,000至4,000萬顆，才能打平成本；但到了20奈米節(jié)點，該門檻會提高至6,000萬至1億顆。

FinFET是一種 3D電晶體技術(shù)，目前正初步獲得晶片制造商的采用；大廠英特爾(Intel)則是將其3D電晶體技術(shù)稱為「三閘(tri-gate)」，業(yè)界預(yù)計該公司將在今年底推出采用3D電晶體技術(shù)所生產(chǎn)的22奈米晶片樣品。

蔣尚義表示，22奈米節(jié)點會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用平面電晶體技術(shù)(planar transistor)的最后一個世代：「在此之后，該技術(shù)就會功成身退?！?br>
編譯：Judith Cheng

(參考原文： TSMC's R&D chief sees 10 years of scaling，by DylanMcGrath)