NAND戰(zhàn)略（點(diǎn)擊放大）

系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略（點(diǎn)擊放大）
東芝代表執(zhí)行董事社長(zhǎng)佐佐木則夫在2011年5月24日舉行的“2011財(cái)年經(jīng)營(yíng)方針說(shuō)明會(huì)”上介紹了該公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略。佐佐木表示，對(duì)于NAND閃存，將強(qiáng)化產(chǎn)品力度和加快新一代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。再次強(qiáng)調(diào)了通過(guò)微細(xì)化技術(shù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)的方針。2011年4月開(kāi)始樣品供貨的19nm產(chǎn)品，將從7月起量產(chǎn)。對(duì)于NAND閃存，“包括BiCS和下下一代三維存儲(chǔ)器在內(nèi)均已納入產(chǎn)品化射程”（佐佐木）。

佐佐木社長(zhǎng)還對(duì)即將到來(lái)的NAND閃存微細(xì)化極限發(fā)表了看法?！癗AND閃存的微細(xì)化終將遇到極限。我們?cè)谑澜缟献钕瘸晒﹂_(kāi)發(fā)出了被稱(chēng)為1Xnm的19nm產(chǎn)品。其后微細(xì)化到1Ynm、1Znm水平的產(chǎn)品也已有實(shí)現(xiàn)的可能。但再往以后的情況則不明確。因此，我們已經(jīng)做好了在進(jìn)入2013年之前，向BiCS和再下一代的三維存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移的打算”（佐佐木）。

另一方面，為了強(qiáng)化SSD的競(jìng)爭(zhēng)力，東芝除了在2011年投放三種企業(yè)服務(wù)器用SSD之外，還將全力發(fā)展與HDD的一體開(kāi)發(fā)和技術(shù)知識(shí)積累。關(guān)于NAND閃存新工廠“Fab 5”，“目前廠房基本已經(jīng)建成，今后將從2011年7月開(kāi)始量產(chǎn)，8月開(kāi)始供貨”（佐佐木）。

另一方面，關(guān)于系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略，東芝將重新構(gòu)建能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)行情變化的業(yè)務(wù)核心。為此將采取“開(kāi)展無(wú)廠化”以及“強(qiáng)化基于圖像傳感器及模擬技術(shù)的收益基礎(chǔ)”這兩項(xiàng)對(duì)策。在無(wú)廠化方面，東芝計(jì)劃把300mm晶圓SoC的外包比例由2011年的50％提高到2013年的80％以上。在第二項(xiàng)方面，例如模擬及MCU，該公司將向高收益產(chǎn)品集中，把產(chǎn)品數(shù)量減少一半。（記者：大石 基之）