“智能手機(jī)與平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced表示，“我們預(yù)見(jiàn)到了28納米工藝設(shè)計(jì)爆發(fā)的局面，目前我們有89款28nm產(chǎn)品已經(jīng)或即將流片?！彼f(shuō)，臺(tái)積電占有全世界90%的28nm產(chǎn)品方案。

Marced還表示，臺(tái)積電目前已經(jīng)開(kāi)始向部分客戶(hù)出貨28nm硅片?！耙苿?dòng)互聯(lián)網(wǎng)在同樣性能的前提下，要求更低的功耗?！迸_(tái)積電(臺(tái)灣新竹)在28nm工藝上正在提供高k金屬柵極工藝(HKMG)和傳統(tǒng)的多晶硅工藝，而下一代20nm產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2012年下半年就會(huì)量產(chǎn)。”

但是，臺(tái)積電至少要等到14納米節(jié)點(diǎn)才會(huì)采用FinFET技術(shù)。據(jù)說(shuō)該技術(shù)對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用非常有利。這與英特爾相反。英特爾最近宣布把FinFET用于其1270制程(22納米)。1270制程已開(kāi)始進(jìn)行生產(chǎn)，而今年下半年晚些時(shí)候，位于亞利桑那的F32工廠(chǎng)將開(kāi)始量產(chǎn)。英特爾把FinFET稱(chēng)為三柵技術(shù)。

這將使英特爾在工藝尺寸方面領(lǐng)先臺(tái)積電一年左右，而在采用FinFET工藝方面則領(lǐng)先更長(zhǎng)時(shí)間。據(jù)說(shuō)FinFET在這些更小的節(jié)點(diǎn)上，可以提供比平面晶體管更好的功耗性能。

Maria Marced表示，英特爾是一家垂直整合型企業(yè)，控制了設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試的所有環(huán)節(jié)，因此能夠比臺(tái)積電更快地采用FinFET技術(shù)。“我們需要等待FinFET的生態(tài)系統(tǒng)建立，其中包括設(shè)計(jì)工具、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、設(shè)計(jì)套件等等。對(duì)于我們來(lái)說(shuō)，20nm仍會(huì)是平面晶體管?！?/p>

Marced認(rèn)為，智能手機(jī)/平板電腦殺手級(jí)應(yīng)用方面的設(shè)計(jì)數(shù)量激增，是臺(tái)積電2011年增長(zhǎng)速度將超過(guò)整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一。臺(tái)積電計(jì)劃2011年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)20%，但預(yù)計(jì)整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)15%。同時(shí)，臺(tái)積電認(rèn)為整體半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅增長(zhǎng)2%。